Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор MMBTA92 / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
188 931 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 14
В наличии:133 144 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 1,31 |
Склад 13
В наличии:29 787 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 234 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,97 |
| от 653 | 2,42 |
| от 1 306 | 1,97 |
| от 3 000 | 1,64 |
| от 6 000 | 1,46 |
Склад 12
В наличии:26 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 300 | 1,41 |
| от 3 000 | 1,21 |
Описание
Транзистор MMBTA92 от HOTTECH — это PNP-транзистор в SMD-корпусе SOT-23. Работает при напряжении коллектор-эмиттер до -300 В и токе до 200 мА, мощность рассеивания — 300 мВт. Подходит для высоковольтных схем в промышленной автоматике и источниках питания.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Transistor (PNP) |
| Мощность, Вт | 300 |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 2D |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Complementary to MMBTA42, High breakdown voltage, Low Collector-emitter saturation voltage, Surface Mount device |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBTA92 |
| Размеры | Единица: mm; Sot23 package outline: A: 0.900-1.150; D: 2.800-3.000; E: 1.200-1.400; L: 0.550 REF; B: 0.300-0.500; C: 0.080-0.150; E: 0.950 TYP; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.050; E1: 2.250-2.550; L1: 0.300-0.500; E1: 1.800-2.000; Theta: 0°-8° |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability classification rating 94V-0 |
| Лента и катушка | Reel dimensions mm: D: Ø178; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40; D2: 13.00; W1: 9.50; W2: 12.30; Допуск: ±1 or ±2; Carrier tape dimensions mm: A: 3.15; B: 2.77; C: 1.22; E: 1.75; F: 3.50; P: 4.00; W: 8.00; D: Ø1.50; P0: 4.00; P1: 2.00; Допуск: ±0.1 |
| Предельные значения | Напряжение эмиттер-база: -5V; Напряжение коллектор-база: -300V; Collector current peak: -500mA; Макс. темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-эмиттер: -300V; Диап. темп. хр.: -55 ~ +150°C; Мощн. коллектора: 300mW; Непрерывный ток коллектора: -200mA; Термосопротивление переход-среда: 417°C/W |
| Mechanical data | Корпус: SOT-23; Вес: 0.008 grams (approx); Размеры: Pin pitch e: 0.950 mm typ; Pin pitch e1: 1.800-2.000 mm; Body height A: 0.900-1.150 mm; Body length D: 2.800-3.000 mm; Body width E1: 2.250-2.550 mm; Материал корпуса: Molded Plastic, UL flammability 94V-0 |
| Комплементарный к | MMBTA42 |
| Коэф. усиления DC 1 | 60 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100 |
| Коэф. усиления DC 3 | 60 |
| Классификация hFE | Rank: 100-200; Маркировка: 2D |
| Структура | PNP |
| Темп. хранения | -55-150 ℃ |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 50 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Напряжение коллектор-база | -300 В |
| Classification hfe rank | Range: 100-200; Маркировка: 2D |
| Предельные значения | Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -55°C ~ +150°C; Напряжение эмиттер-база Vebo: -5V; Collector current peak icm: -500mA; Напряжение коллектор-база Vcbo: -300V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: -300V; Pк: 300mW; Непрерывный ток коллектора Ic: -200mA; Тепловое сопротивление переход-среда: 417°C/W |
| Ток отсечки коллектора | -0.25 μA |
| Импульсный ток коллектора | -500 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -300 В |
| Электрические характеристики | Dc current gain hFE: Conditions: At: V_CE=-10V, I_C=-1mA; Min: 60, At: V_CE=-10V, I_C=-10mA; Typical range: 100-200, At: V_CE=-10V, I_C=-30mA; Min: 60; Частота перехода: 50 MHz at V_CE=-20V, I_C=-10mA, f=30MHz; Ток отсечки эмиттера: max -0.1uA at V_EB=-5V, I_C=0; Ток отсечки коллектора: max -0.25uA at V_CB=-200V, I_E=0; Напряжение пробоя эмиттер-база: min -5V at I_E=-100uA, I_C=0; Напр. нас. база-эмиттер: typ -0.9V at I_C=-20mA, I_B=-2mA; Напряжение пробоя коллектор-база: min -300V at I_C=-100uA, I_E=0; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: min -300V at I_C=-1mA, I_B=0; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: typ -0.2V at I_C=-20mA, I_B=-2mA |
| Ток коллектора непрерывный | -200 mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | -0.9 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -300 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -300 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.2 В |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?