Документация
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
У поставщика
ПроизводительGalaxy ME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
4 346 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1,23 ₽
Сумма615,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 346 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 620 — 1,13 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 615,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 685,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 615,00 ₽
Описание
Биполярный PNP-транзистор MMBTA92 от Galaxy ME. Работает при напряжении до 300 В, токе до 0,5 А и мощности 0,25 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | 2D |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Условия поставки | 3000/Tape&Reel |
| Без свинца | Да |
| Описание | PNP high voltage amplifier transistor |
| Предельные значения | Темп. диапазон: -55 to 150°C; Ток коллектора, DC: -0.1A; Напряжение эмиттер-база: -5V; Напряжение коллектор-база: -300V; Напряжение коллектор-эмиттер: -300V; Мощн. коллектора: 0.35W |
| Артикул | MMBTA92 |
| Размеры мм | A: 2.85-2.95; B: 1.25-1.35; C: 1.0 typical; D: 0.37-0.43; E: 0.35-0.48; G: 1.85-1.95; H: 0.02-0.1; J: 0.1 typical; K: 2.35-2.45 |
| Комплементарный NPN | MMBTA42 |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Электрические характеристики | Коэф. усиления DC: 25 min @ VCE=-10V, IC=-1mA; 40 min @ VCE=-10V, IC=-10mA; 25 min @ VCE=-10V, IC=-50mA; Частота перехода: 50MHz min @ IC=-10mA, VCE=-20V, f=100MHz; Ток отсечки эмиттера: -0.1μA max @ IC=0, VEB=-3V; Ток отсечки коллектора: -0.1μA max @ IE=0, VCB=-200V; Выходная емкость коллектора: 6pF max @ VCB=-20V, f=1MHz; Напряжение пробоя эмиттер-база: -5V min @ IE=-100μA, IC=0; Напр. нас. база-эмиттер: -0.9V max @ IC=-20mA, IB=-2mA; Напряжение пробоя коллектор-база: -300V min @ IC=-100μA, IE=0; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: -300V min @ IC=-1mA, IB=0; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: -0.5V max @ IC=-20mA, IB=-2mA |
| Описание (англ.) | PNP 300V 0.5 A 0.25W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?