Документация
Диод SMD MMBTA42
В наличии
На своём складе
50 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
7 091 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 1,20 |
| от 800 | 1,12 |
| от 2 000 | 1,09 |
| от 4 000 | 1,07 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:7 091 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 1,20 |
| от 800 | 1,12 |
| от 2 000 | 1,09 |
| от 4 000 | 1,07 |
Описание
SMD транзистор MMBTA42 от MERRYELC — NPN биполярный компонент в корпусе SOT-23. Работает при токе коллектора до 0,3 А, рассеивает мощность 350 мВт и имеет частоту перехода 50 МГц. Подходит для коммутации и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Мощность, Вт | 0.35 W |
| Маркировка | 1D |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Комплементарный к | MMBTA92 |
| Ток коллектора | 0.3 A |
| Рассеиваемая мощность | 350mW |
| Макс. коэф. усиления DC | 200 |
| Hfe мин. | 60 |
| Темп. хранения | -55~+150 ℃ |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 50MHz (VCE=20V, IC=100mA) |
| Напряжение эмиттер-база | 5 V |
| Dc current gain hfe 1 | 60 min (VCE=10V, IC=1mA) |
| Dc current gain hfe 2 | 100-200 (VCE=10V, IC=10mA) |
| Dc current gain hfe 3 | 65 min (VCE=10V, IC=30mA) |
| Пиковый ток коллектора | 0.5 A |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 μA |
| Напряжение коллектор-база | 300 V |
| Ток отсечки коллектора | 0.25 μA |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 300 V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 300V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100nA max |
| Непрерывный ток коллектора | 300mA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 250nA max |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 300V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5V min |
| Напр. нас. база-эмиттер | 0.90V max (IC=20mA, IB=2mA) |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 300 V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 300V min |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 300 V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 300V min |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.20V max (IC=20mA, IB=2mA) |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |