Документация
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт
У поставщика
ПроизводительMCC
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 440 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 440 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 250 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,77 |
| от 201 | 2,47 |
| от 402 | 2,20 |
| от 803 | 1,96 |
| от 1 605 | 1,78 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор MMBTA42 от MCC. Работает при напряжении до 300 В, токе до 0,5 А и мощности 0,35 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для применения в промышленной автоматике и блоках питания.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon High Voltage Transistor |
| Цоколевка | 1: Base; 2: Emitter; 3: Collector |
| Маркировка | 1D |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 2.80 - 3.04 mm; B: 2.10 - 2.64 mm; C: 1.20 - 1.40 mm; D: 0.85 - 1.05 mm; E: 1.70 - 2.10 mm; F: 0.45 - 0.60 mm; G: 0.01 - 0.15 mm; H: 0.90 - 1.10 mm; J: 0.08 - 0.18 mm; K: 0.30 - 0.51 mm; L: 0.20 - 0.50 mm |
| Артикул | MMBTA42 |
| Производитель | Micro Commercial Components |
| Корпус | SOT23-3 |
| Current ratings | Continuous collector current ic: 500mA |
| Voltage ratings | Напряжение эмиттер-база Vebo: 6V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 300V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 300V |
| Рассеиваемая мощность | Note2 fr5 board: 225mW; Note3 alumina substrate: 350mW |
| Темп. диапазон | Storage: -55°C to +150°C; Operating junction: -55°C to +150°C |
| Тепловое сопротивление | Junction to ambient fr5: 556°C/W; Junction to ambient alumina: 357°C/W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Электрические характеристики | Hfe1: 25 min @ Vce=10V, Ic=1mA; Hfe2: 40 min @ Vce=10V, Ic=10mA; Коэффициент усиления DC hFE3: 40 min @ Vce=10V, Ic=30mA; Граничная частота ft: 50MHz @ Vce=20V, Ic=10mA, f=100MHz; Ток отсечки эмиттера Iebo: 0.1µA @ Veb=6V, Ic=0; Ток отсечки коллектора Icbo: 0.1µA @ Vcb=200V, Ie=0; Напряжение пробоя эмиттер-база: 6V @ 100µA, Ic=0; Напряжение пробоя коллектор-база: 300V @ 100µA, Ie=0; Collector output capacitance ccb: 3pF @ Vcb=20V, Ie=0, f=1MHz; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 300V @ 1mA, Ib=0; Base emitter saturation voltage vbesat: 0.9V @ Ic=20mA, Ib=2mA; Напряжение насыщения КЭ: 0.5V @ Ic=20mA, Ib=2mA |
| Suggested solder pad layout | Pad width: 0.800 mm; Pad height: 0.900 mm; Center to center: 0.950 mm |
| Описание (англ.) | NPN 300V 0.5A 0.35W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?