Документация
Транзистор MMBTA06
В наличии
На своём складе
14 011 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 1,08 |
| от 200 | 1,03 |
| от 400 | 1,00 |
| от 1 000 | 0,99 |
Описание
Транзистор MMBTA06 от KEEN SIDE — биполярный NPN-ключ в миниатюрном корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 80 В и ток коллектора до 500 мА, рассеивая до 300 мВт. Подходит для коммутации и усиления в компактных устройствах промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | 1GM |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | [ "For Switching and Amplifier Applications", "Complementary Type NPN Transistor", "SOT-23 Plastic-Encapsulate" ] |
| Max ratings | { "vcbo": "80V", "vceo": "80V", "vebo": "4V", "rthja": "416°C/W", "ic_max": "500mA", "pc_max": "300mW", "temp_max": "+150°C", "temp_min": "-55°C", "temp_storage_max": "+150°C", "temp_storage_min": "-55°C" } |
| Тип монтажа | SMD |
| Название компонента | MMBTA06 |
| Тип компонента | NPN Transistor |
| Ток коллектора | 500 мА |
| Конфиг. выводов | { "pin1": "BASE", "pin2": "EMITTER", "pin3": "COLLECTOR" } |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Hfe1 | 100-400 |
| Hfe2 | 100 |
| Частота перехода | 100 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | 4 В |
| Размеры корпуса мм | { "a": "0.900-1.150", "b": "0.300-0.500", "c": "0.080-0.150", "d": "2.800-3.000", "e": "1.200-1.400", "l": "0.550", "a1": "0.000-0.100", "a2": "0.900-1.050", "e1": "2.250-2.550", "l1": "0.300-0.500", "theta": "0-8", "e_spacing": "0.550", "e1_spacing": "1.800-2.000" } |
| Напряжение коллектор-база | 80 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 80 В |
| Электрические характеристики | { "ft": "100MHz", "icbo": "0.1µA", "iceo": "1µA", "iebo": "0.1µA", "vbe_sat": "1.2V", "vbr_cbo": "80V", "vbr_ceo": "80V", "vbr_ebo": "4V", "vce_sat": "0.25V", "hfe_at_10ma": "100-400", "hfe_at_100ma": "100" } |
| Ток отсечки эмиттера EBO | 0.1 мкА |
| Диапазон темп. перехода | -55～+150 °C |
| Ток отсечки коллектора CBO | 0.1 мкА |
| Ток отсечки коллектора CEO | 1 мкА |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 4 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 °C/Вт |