Документация
Транзистор MMBTA06
В наличии
На своём складе
13 801 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт1,26 ₽
Сумма126,00 ₽
В наличии13 801 шт
от 100 шт
от 200 — 1,21 ₽ (−4%)
100 шт · Москва · 126,00 ₽
Описание
Транзистор MMBTA06 от KEEN SIDE — биполярный NPN-ключ в миниатюрном корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 80 В и ток коллектора до 500 мА, рассеивая до 300 мВт. Подходит для коммутации и усиления в компактных устройствах промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | 1GM |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | For Switching and Amplifier Applications, Complementary Type NPN Transistor, SOT-23 Plastic-Encapsulate |
| Предельные значения | Напряжение коллектор-база Vcbo: 80V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 80V; Напряжение эмиттер-база Vebo: 4V; RthJA: 416°C/W; Макс. ток коллектора: 500mA; Макс. Pc: 300mW; Макс. температура: +150°C; Мин. температура: -55°C; Макс. темп. хр.: +150°C; Мин. темп. хр.: -55°C |
| Тип монтажа | SMD |
| Название компонента | MMBTA06 |
| Тип компонента | NPN транзистор |
| Ток коллектора | 500 мА |
| Конфиг. выводов | Вывод 1: основание; Вывод 2: эмиттер; Pin3: коллектор |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Hfe1 | 100-400 |
| Hfe2 | 100 |
| Частота перехода | 100 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | 4 В |
| Размеры корпуса мм | A: 0.900-1.150; B: 0.300-0.500; C: 0.080-0.150; D: 2.800-3.000; E: 1.200-1.400; L: 0.550; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.050; E1: 2.250-2.550; L1: 0.300-0.500; Theta: 0-8; E spacing: 0.550; E1 spacing: 1.800-2.000 |
| Напряжение коллектор-база | 80 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 80 В |
| Электрические характеристики | Граничная частота fT: 100MHz; Ток отсечки коллектор-база Icbo: 0.1µA; Ток I CEO: 1µA; Ток отсечки эмиттер-база Iebo: 0.1µA; Напряжение насыщения база-эмиттер: 1.2V; Напряжение пробоя коллектор-база: 80V; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 80V; Напряжение пробоя эмиттер-база: 4V; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.25V; hFE при IC=10 мА: 100-400; Hfe at 100ma: 100 |
| Ток отсечки эмиттера EBO | 0.1 мкА |
| Диапазон темп. перехода | -55～+150 °C |
| Ток отсечки коллектора CBO | 0.1 мкА |
| Ток отсечки коллектора CEO | 1 мкА |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 4 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 80 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 °C/Вт |
| Граничная частота, МГц | 100 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 400 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 100 |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,25 |
| Напряжение, В | 80 |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток измерения hFE, мА | 10 |
| Ток, А | 0,5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?