Документация
транзистор MMBT5551LT1G
У поставщика
Производительonsemi
У поставщиков
8 000 шт.
Цены поставщиков
Склад 38
В наличии:8 000 шт.
Срок поставки: до 13 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,49 |
Описание
Транзистор MMBT5551LT1G от onsemi — биполярный NPN-транзистор в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 160 В при токе коллектора до 600 мА и рассеиваемой мощности 225 мВт. Работает в диапазоне температур от -55 до 150 °C. Применяется в схемах усиления и коммутации — промышленная автоматика, бытовая электроника, блоки питания.
Технические характеристики
| Power - Max | 225 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Описание | TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?