Документация
MMBT5551, Биполярный транзистор NPN 160В 600мА 300мВт SOT-23
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
205 580 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:111 543 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,88 |
| от 2 025 | 1,51 |
| от 3 350 | 1,31 |
| от 5 550 | 1,14 |
| от 9 250 | 1,03 |
Склад 12
В наличии:94 037 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 2 500 | 1,05 |
Описание
Биполярный транзистор NPN MMBT5551 от YJ. Выдерживает напряжение до 160 В и ток до 600 мА при мощности 300 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Bipolar Transistor |
| Маркировка | G1 |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | Размах выводов: 2.04mm; Ширина корпуса: 1.30mm; Ширина вывода: 0.44mm; Высота корпуса: 1.00mm; Длина корпуса: 2.90mm; Толщина вывода: 0.14mm |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Структура | NPN |
| Capacitance cibo 1v | 10pF |
| Capacitance cobo 1v | 3pF |
| Power dissipation fr5 | 225mW |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6.0V |
| Power dissipation alumina | 300mW |
| Dc current gain min ic 1mA | 80 |
| Electrostatic discharge mm | >400V |
| Напряжение коллектор-база макс. | 180V |
| Dc current gain max ic 10mA | 250 |
| Dc current gain min ic 10mA | 80 |
| Dc current gain min ic 50mA | 30 |
| ЭСР HBM | >8000V |
| Непрерывный ток коллектора | 600mA |
| Emitter cutoff current veb 4v | 50nA |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 160V |
| Collector cutoff current vcb 100v | 100nA |
| Collector cutoff current vcb 120v | 50nA |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 160 |
| Thermal resistance junction to ambient fr5 | 556°C/W |
| Коэф-т передачи тока hfe | 100 |
| Base emitter saturation voltage ic 10mA ib 1mA | 1.0V |
| Base emitter saturation voltage ic 50mA ib 5mA | 1.0V |
| Thermal resistance junction to ambient alumina | 417°C/W |
| Collector emitter saturation voltage ic 10mA ib 1mA | 0.15V |
| Collector emitter saturation voltage ic 50mA ib 5mA | 0.20V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?