Документация
MMBT5551 SOT-23 транзистор биполярный RUME (арт. 269821)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
48 900 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт0,51 ₽
Сумма1 530,00 ₽
до минимума склада не хватает 1 470,00 ₽
В наличии48 900 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 3 000 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» — от 3 000,00 ₽. С этой позицией будет 1 530,00 ₽, не хватает 1 470,00 ₽. Добавьте позиций этого склада или выберите другой.
3 000 шт · Склад 29 · 1 530,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный MMBT5551 в корпусе SOT-23 от производителя RUME. Компонент относится к кремниевым NPN-транзисторам средней мощности, предназначенным для усиления и коммутации сигналов. Модель отличается высоким напряжением коллектор-эмиттер, что позволяет использовать её в цепях с повышенным напряжением. Благодаря компактному корпусу SOT-23 подходит для поверхностного монтажа в современной электронике.
Технические характеристики
| Тип | Биполярный транзистор |
| Маркировка | G1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Коэффициент шума | Value: 8dB; Condition: Vce=5V, Ic=0.25mA, f=10Hz to 15.7kHz, Rs=1kΩ |
| Тип компонента | NPN Bipolar Junction Transistor |
| Коэф. усиления DC | Condition 1: Микросхема: 1mA; Min: 80; Vce: 5V; Condition 2: Микросхема: 10mA; Max: 300; Min: 100; Vce: 5V; Condition 3: Микросхема: 50mA; Min: 50; Vce: 5V |
| Комплементарный к | MMBT5401 |
| Вх. емкость | Value: 20pF; Condition: Vbe=0.5V, Ic=0, f=1MHz |
| Рассеиваемая мощность | 300mW |
| Выходная емкость | Value: 6pF; Condition: Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz |
| Частота перехода | Min: 100MHz; Typ: 300MHz; Condition: Vce=10V, Ic=10mA, f=100MHz |
| Макс. ток коллектора | 0.6A |
| Ток отсечки эмиттера | Value: 50nA; Condition: Veb=4V, Ic=0 |
| Ток отсечки коллектора | Value: 50nA; Condition: Vcb=120V, Ie=0 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 180V |
| Макс. напр. К-Э | 160V |
| Напр. нас. база-эмиттер | Condition 1: Ib: 1mA; Микросхема: 10mA; Value: 1V; Condition 2: Ib: 5mA; Микросхема: 50mA; Value: 1V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Condition 1: Ib: 1mA; Микросхема: 10mA; Value: 0.15V; Condition 2: Ib: 5mA; Микросхема: 50mA; Value: 0.2V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?