Документация
Транзистор MMBT5551
В наличии
На своём складе
6 190 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт0,66 ₽
Сумма198,00 ₽
В наличии6 190 шт
от 300 шт
от 800 — 0,62 ₽ (−6%)
300 шт · Москва · 198,00 ₽
Описание
Транзистор NPN MMBT5551 от KEEN SIDE в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА при рассеиваемой мощности 300 мВт, напряжение база-эмиттер — 6 В. Подходит для коммутации и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN транзистор |
| Маркировка | G1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размах выводов | 1.8-2.0mm |
| Ширина вывода | 0.3-0.5mm |
| Расстояние между выводами | 0.95mm |
| Комплементарный аналог | MMBT5401 |
| Толщина вывода | 0.08-0.15mm |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Выходная емкость | 6pF |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 80 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 100 |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100-300MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Ширина корпуса | 1.2-1.4mm |
| Макс. ток коллектора | 600mA |
| Высота корпуса | 0.9-1.15mm |
| Длина корпуса | 2.8-3.0mm |
| Ток отсечки эмиттера | 50nA |
| Напряжение коллектор-база | 180 В |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 6V |
| Макс. частота перехода | 300 МГц |
| Мин. частота перехода | 100 МГц |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 160 В |
| Макс. напряжение коллектор-база | 180V |
| Коэффициент усиления по току hFE мин. при 1 мА | 80 |
| Выходная емкость коллектора | 6 пФ |
| Коэффициент усиления по току hFE мин. при 50 мА | 50 |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 160V |
| Диапазон коэффициента усиления по току hFE при 10 мА | 100-300 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1 В |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300mW |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 180V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 160V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, 10 мА | 1V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, 50 мА | 1V |
| Термосопротивление переход-среда | 416°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 В |
| Напряжение насыщения 10 мА | 0.15V |
| Напряжение насыщения 50 мА | 0.2V |
| Граничная частота, МГц | 100 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 100 |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,15 |
| Напряжение, В | 160 |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток измерения hFE, мА | 10 |
| Ток, А | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?