Транзистор MMBT5551 SOT-23
У поставщика
У поставщиков
95 011 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:95 011 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,38 |
| от 2 600 | 1,10 |
| от 4 450 | 0,95 |
| от 7 400 | 0,83 |
| от 12 225 | 0,74 |
Описание
Транзистор биполярный NPN MMBT5551 от JSMICRO в корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 160 В и ток до 600 мА при рассеиваемой мощности 300 мВт. Коэффициент усиления по току — от 80 до 300. Подходит для коммутации и усиления в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Корпус | SOT-23 |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 80 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 100 |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Ток отсечки эмиттера | 50 нА |
| Напряжение коллектор-база | 180 В |
| Ток отсечки коллектора | 50 нА |
| Макс. частота перехода | 300 МГц |
| Мин. частота перехода | 100 МГц |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 160 В |
| Выходная емкость коллектора | 6 пФ |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 180 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 160 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 °C/Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 В |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение, В | 160 |
| Тип транзистора | NPN |
Заметили ошибку в описании или параметрах?