Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор MMBT5551 / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
24 165 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:13 016 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 666 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,04 |
| от 767 | 0,87 |
| от 1 534 | 0,75 |
| от 3 000 | 0,67 |
| от 9 000 | 0,62 |
Склад 14
В наличии:10 796 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 0,68 |
Склад 39
В наличии:353 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,95 |
| от 3 724 | 0,75 |
| от 6 145 | 0,65 |
| от 10 428 | 0,56 |
| от 17 318 | 0,50 |
Описание
Транзистор MMBT5551 от HOTTECH — это NPN-компонент в корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток коллектора до 600 мА и напряжение коллектор-эмиттер 160 В, при рассеиваемой мощности 300 мВт. Подходит для использования в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | G1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBT5551 |
| Описание | NPN Bipolar Transistor |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL94V-0 |
| Комплементарный аналог | MMBT5401 |
| Предельные значения | Ток коллектора: 600mA; Напряжение эмиттер-база: 5V; Темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-база: 180V; Напряжение коллектор-эмиттер: 160V; Диап. темп. хр.: -55°C to +150°C; Мощн. коллектора: 250mW; Термосопротивление переход-среда: 416°C/W |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Размеры упаковки | A: 0.900-1.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550mm ref; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; E: 0.950mm typ; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; E1: 1.800-2.000mm; Theta: 0° to 8° |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 80 |
| Коэффициент усиления DC тип. | 100 |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Ток отсечки эмиттера | 50 нА |
| Напряжение коллектор-база | 180 В |
| Ток отсечки коллектора | 50 нА |
| Tape and reel dimensions | Reel 7inch: D: Ø178±2mm; G: R78±1mm; H: R25.60±1mm; I: R6.50±1mm; D1: 54.40±1mm; D2: 13.00±1mm; W1: 9.50±1mm; W2: 12.30±1mm; Carrier tape: A: 3.15±0.1mm; B: 2.77±0.1mm; C: 1.22±0.1mm; E: 1.75±0.1mm; F: 3.50±0.1mm; P: 4.00±0.1mm; W: 8.00±0.1mm; D: Ø1.50±0.1mm; P0: 4.00±0.1mm; P1: 2.00±0.1mm |
| Макс. частота перехода | 300 МГц |
| Мин. частота перехода | 100 МГц |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 160 В |
| Электрические характеристики | H fe rank: H: 200-300; L: 100-200; Маркировка: G1; Pulse test: Pulse width ≤300us, duty cycle ≤2.0%; Коэф. усиления DC: H FE 1: 80 @ V_CE=5V, IC=1mA; H FE 2: 100-300 @ V_CE=5V, IC=10mA; H FE 3: 50 @ V_CE=5V, IC=50mA; Частота перехода: 100-300MHz @ V_CE=5V, IC=10mA, f=30MHz; Ток отсечки эмиттера: 0.05uA @ V_EB=4V, IC=0; Ток отсечки коллектора: 0.05uA @ V_CB=120V, IE=0; Выходная емкость коллектора: 5pF @ V_CE=10V, IE=0, f=1MHz; Напряжение пробоя эмиттер-база: 5V @ IE=100uA, IC=0; Напр. нас. база-эмиттер: 0.8V @ IC=10mA, IB=1mA; 1V @ IC=50mA, IB=5mA; Напряжение пробоя коллектор-база: 180V @ IC=100uA, IE=0; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 160V @ IC=1mA, IB=0; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.3V @ IC=10mA, IB=1mA; 0.5V @ IC=50mA, IB=5mA |
| Выходная емкость коллектора | 6 пФ |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 180 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 160 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 °C/Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 В |
Заметили ошибку в описании или параметрах?