Документация
Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 303 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 303 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 372 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,86 |
| от 507 | 1,59 |
| от 1 014 | 1,39 |
| от 2 028 | 1,24 |
| от 6 000 | 1,14 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор MMBT5401 от SHIKUES. Рабочее напряжение до 160 В, ток до 0,6 А, мощность 0,225 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленных цепях управления.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 100-300MHz |
| Nf | 8.0dB |
| Cobo | 6.0pF |
| Тип | PNP Silicon Transistor |
| I ces | -50nA |
| V cbo | -160V |
| V ceo | -150V |
| V ebo | -5.0V |
| Hfe 1ma | 50 |
| Маркировка | 2L |
| P d fr5 | 225mW |
| Корпус | SOT-23 |
| T j stg | -55°C to +150°C |
| Hfe 10ma | 60-240 |
| Hfe 50ma | 50 |
| Тип монтажа | SMD |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -160V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5.0V |
| Компонент | MMBT5401 |
| I ces 100c | -50µA |
| R thja fr5 | 556°C/W |
| P d alumina | 300mW |
| Vbe sat 10ma | -1.0V |
| Vbe sat 50ma | -1.0V |
| Vce sat 10ma | -0.2V |
| Vce sat 50ma | -0.5V |
| I c continuous | -600mA |
| P d fr5 derate | 1.8mW/°C |
| R thja alumina | 417°C/W |
| Hfe small signal | 40-200 |
| P d alumina derate | 2.4mW/°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | PNP 150V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?