Документация
Транзистор MMBT5401
В наличии
На своём складе
4 757 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,66 |
| от 800 | 0,61 |
| от 2 000 | 0,60 |
| от 4 000 | 0,59 |
Описание
Транзистор биполярный PNP от KEEN SIDE в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до -0,6 А и напряжение коллектор-база до -160 В при мощности рассеивания 0,3 Вт. Подходит для коммутации и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | 2L |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Комплементарный к | MMBT5551 |
| Ток коллектора | -0.6 A |
| Коэф. усиления DC 1 | 80 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100-300 |
| Коэф. усиления DC 3 | 50 |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Ток коллектора Ic | -0.6A |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -160 В |
| Шаг выводов e | 0.950mm typ |
| Размах выводов E1 | 1.800-2.000mm |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Высота корпуса A | 0.900-1.150mm |
| Длина корпуса D | 2.800-3.000mm |
| Ширина корпуса E1 | 2.250-2.550mm |
| Ток отсечки коллектора | -0.1 μA |
| Dc current gain hfe min 1 | 80 |
| Dc current gain hfe min 3 | 50 |
| Dc current gain hfe range | 100-300 |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -150 В |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -160V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -0.1μA |
| Макс. температура перехода Tj | 150°C |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -0.1μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -150V |
| Pк | 0.3W |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -160 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -1 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150 В |
| Пробивное эмиттер-база | -5V |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.2 В |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 ℃/W |
| Base emitter saturation voltage vbesat1 | -1V |
| Base emitter saturation voltage vbesat2 | -1V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | -160V |
| Напряж. пробоя К-Э | -150V |
| Collector emitter saturation voltage vcesat1 | -0.2V |
| Collector emitter saturation voltage vcesat2 | -0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 416°C/W |
| Граничная частота, МГц | 100 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. HFE | 80 |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,5 |
| Напряжение, В | 150 |
| Тепловое сопротивление, °C/Вт | 416 |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток измерения hFE, мА | 10 |
| Ток, А | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?