Документация
Транзистор MMBT5401
В наличии
На своём складе
3 757 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт0,66 ₽
Сумма198,00 ₽
В наличии3 757 шт
от 300 шт
от 800 — 0,62 ₽ (−6%)
300 шт · Москва · 198,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный PNP от KEEN SIDE в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до -0,6 А и напряжение коллектор-база до -160 В при мощности рассеивания 0,3 Вт. Подходит для коммутации и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | 2L |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Комплементарный к | MMBT5551 |
| Ток коллектора | -0.6 A |
| Коэф. усиления DC 1 | 80 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100-300 |
| Коэф. усиления DC 3 | 50 |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Ток коллектора Ic | -0.6A |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -160 В |
| Шаг выводов e | 0.950mm typ |
| Размах выводов E1 | 1.800-2.000mm |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Граничная частота ft | 100MHz |
| Высота корпуса A | 0.900-1.150mm |
| Длина корпуса D | 2.800-3.000mm |
| Ширина корпуса E1 | 2.250-2.550mm |
| Ток отсечки коллектора | -0.1 μA |
| Мин. коэффициент усиления по постоянному току hFE1 | 80 |
| Мин. коэффициент усиления по постоянному току hFE3 | 50 |
| Диапазон коэффициента усиления по току hFE | 100-300 |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -150 В |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -160V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | -0.1μA |
| Макс. температура перехода Tj | 150°C |
| Ток отсечки коллектора Icbo | -0.1μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -150V |
| Pк | 0.3W |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -160 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -1 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150 В |
| Пробивное эмиттер-база | -5V |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.2 В |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 ℃/W |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbe sat 1 | -1V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbe sat 2 | -1V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | -160V |
| Напряж. пробоя К-Э | -150V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat) 1 | -0.2V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat) 2 | -0.5V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 416°C/W |
| Граничная частота, МГц | 100 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. HFE | 80 |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,5 |
| Напряжение, В | 150 |
| Тепловое сопротивление, °C/Вт | 416 |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток измерения hFE, мА | 10 |
| Ток, А | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?