Транзистор MMBT5401
У поставщика
У поставщиков
7 990 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:7 990 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,71 |
| от 2 150 | 1,37 |
| от 3 625 | 1,18 |
| от 6 075 | 1,03 |
| от 10 100 | 0,93 |
Описание
Транзистор биполярный PNP MMBT5401 от JSMICRO. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до -150 В и ток до -0,6 А, рассеиваемая мощность — 0,3 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Ток коллектора | -0.6 A |
| Коэф. усиления DC 1 | 80 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100-300 |
| Коэф. усиления DC 3 | 50 |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -160 В |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Ток отсечки коллектора | -0.1 μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -150 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -160 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -1 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150 В |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.2 В |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 ℃/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?