Транзистор MMBT5401
У поставщика
У поставщиков
4 377 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 377 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,24 |
| от 405 | 3,58 |
| от 809 | 3,01 |
| от 1 617 | 2,59 |
| от 3 000 | 2,32 |
Описание
Транзистор MMBT5401 от DIOTEC — это PNP-компонент в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток коллектора до -0.6 А и напряжение коллектор-эмиттер до -150 В, при рассеиваемой мощности 0.3 Вт. Подходит для применения в схемах промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| В упаковке | 3000 |
| Корпус | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Ток коллектора | -0.6 A |
| Коэф. усиления DC 1 | 80 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 100-300 |
| Коэф. усиления DC 3 | 50 |
| Рассеиваемая мощность | 0.3 W |
| Темп. хранения | -55～+150 ℃ |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 100 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -160 В |
| Ток отсечки эмиттера | -0.1 μA |
| Ток отсечки коллектора | -0.1 μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -150 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -160 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -1 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150 В |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.2 В |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.5 В |
| Термосопротивление переход-среда | 416 ℃/W |