Документация
MMBT5401, Биполярный транзистор 150В 0.5А SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительCJ
У поставщиков
13 000 шт.
Норм. уп.: 150
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:13 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 150
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,25 |
| от 150 | 4,23 |
| от 1 500 | 2,76 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор MMBT5401 от CJ. Выдерживает напряжение до 150 В и ток до 0,6 А, выпускается в компактном SMD-корпусе SOT-23. Коэффициент усиления по току может достигать 300, граничная частота — от 100 МГц. Подходит для коммутации нагрузки и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | 2L |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Power - Max | 250 mW |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Комплементарный аналог | MMBT5551 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT SOT23 PNP 0.5A 150V HighVolt |
| HFE classification | H: 200-300; L: 100-200 |
| Структура | PNP |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Макс. ток коллектора | -0.6A |
| Dc current gain 1 min | 80 |
| Dc current gain 2 max | 300 |
| Dc current gain 2 min | 100 |
| Dc current gain 3 min | 50 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Dc current gain 1 test | Vce=-5V, Ic=-1mA |
| Dc current gain 2 test | Vce=-5V, Ic=-10mA |
| Dc current gain 3 test | Vce=-5V, Ic=-50mA |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | -5V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Transition frequency test | Vce=-5V, Ic=-10mA, f=30MHz |
| Напряжение коллектор-база макс. | -160V |
| Макс. ток отсечки эмиттера | -0.1μA |
| Макс. ток отсечки коллектора | -0.1μA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Макс. напр. К-Э | -150V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Макс. Pк | 0.3W |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Мин. пробой эмиттер-база | -5V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -160V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Base emitter saturation voltage 1 max | -1V |
| Base emitter saturation voltage 2 max | -1V |
| Base emitter saturation voltage 1 test | Ic=-10mA, Ib=-1mA |
| Base emitter saturation voltage 2 test | Ic=-50mA, Ib=-5mA |
| Термосопротивление переход-среда | 416°C/W |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -150V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 150 |
| Collector emitter saturation voltage 1 max | -0.2V |
| Collector emitter saturation voltage 2 max | -0.5V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 60 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
| Collector emitter saturation voltage 1 test | Ic=-10mA, Ib=-1mA |
| Collector emitter saturation voltage 2 test | Ic=-50mA, Ib=-5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?