Документация
Транзистор MMBT4403LT1G
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
Ед. изм.шт
У поставщиков
6 047 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 047 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 206 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,37 |
| от 534 | 2,78 |
| от 1 068 | 2,30 |
| от 2 135 | 1,94 |
| от 6 000 | 1,74 |
Описание
Транзистор MMBT4403LT1G от ON Semiconductor — это биполярный PNP-транзистор с изолированным затвором. Он рассчитан на ток до 600 мА и напряжение до 40 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные с изолированным затвором |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBT4403LT1G |
| Кол-во выводов | 3 |
| Соответствие | Pb-Free, Halogen Free, BFR Free, RoHS 3 |
| Описание | PNP Silicon Switching Transistor |
| Fall time tf | 30ns |
| Rise time tr | 20ns |
| Delay time td | 15ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Storage time ts | 225ns |
| Ordering package | SOT-23 |
| Ordering shipping | 3000/Tape & Reel |
| Derate above 25 fr5 | 1.8mW/°C |
| Input impedance hie | 1.5-15kΩ |
| Ordering package alt | SOT-23 |
| Ordering shipping alt | 10000/Tape & Reel |
| Output admittance hoe | 1.0-100µMhos |
| Derate above 25 alumina | 2.4mW/°C |
| Base cutoff current ibev | -0.1µA |
| Dc current gain hfe ic1ma | 60 |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5.0V |
| Collector current peak icm | -900mA |
| Dc current gain hfe ic10ma | 100 |
| Voltage feedback ratio hre | 0.1-8.0e-4 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -40V |
| Dc current gain hfe ic0 1ma | 30 |
| Dc current gain hfe ic150ma | 100-300 |
| Dc current gain hfe ic500ma | 20 |
| Emitter base capacitance ceb | 30pF |
| Junction storage temperature | -55 to +150°C |
| Collector cutoff current icex | -0.1µA |
| Small signal current gain hfe | 60-500 |
| Collector base capacitance ccb | 8.5pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -40V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5.0V |
| Непрерывный ток коллектора Ic | -600mA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40V |
| Current gain bandwidth product ft | 200MHz |
| Total device dissipation fr5 ta25 | 225mW |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -40V |
| Total device dissipation alumina ta25 | 300mW |
| Base emitter saturation vbe sat ic150ma | -0.75 to -0.95V |
| Base emitter saturation vbe sat ic500ma | -1.3V |
| Thermal resistance junction ambient fr5 | 556°C/W |
| Thermal resistance junction ambient alumina | 417°C/W |
| Collector emitter saturation vce sat ic150ma | -0.4V |
| Collector emitter saturation vce sat ic500ma | -0.75V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?