Документация
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.25Вт
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
26 611 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 611 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 528 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,31 |
| от 363 | 1,15 |
| от 725 | 1,01 |
| от 1 449 | 0,89 |
| от 3 000 | 0,81 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор MMBT4403 от производителя SHIKUES. Работает при напряжении до 40 В, токе до 0.6 А и мощности 0.25 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в бытовой электронике и схемах управления.
Технические характеристики
| Тип | PNP Silicon Bipolar Transistor |
| Корпус | SOT-23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBT4403 |
| Время спада | 30ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Время задержки | 15ns |
| Время хранения | 225ns |
| Device marking | 2T |
| Base cutoff current | -0.1µA |
| Input impedance hie | 1.5-15kΩ |
| Derate above 25c fr5 | 1.8mW/°C |
| Напряжение эмиттер-база | -5.0V |
| Output admittance hoe | 1.0-100µmhos |
| Напряжение коллектор-база | -40V |
| Dc current gain ic 1ma | 60 |
| Dc current gain ic 10ma | 100 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Ток отсечки коллектора | -0.1µA |
| Dc current gain ic 0 1ma | 30 |
| Dc current gain ic 150ma | 100-300 |
| Dc current gain ic 500ma | 20 |
| Derate above 25c alumina | 2.4mW/°C |
| Emitter base capacitance | 30pF |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -40V |
| Ёмкость коллектор-база | 8.5pF |
| Voltage feedback ratio hre | 0.1-8.0 x 10^-4 |
| Непрерывный ток коллектора | -600mA |
| Junction storage temperature | -55 to +150°C |
| Total device dissipation fr5 | 225mW |
| Описание (англ.) | TRANS PNP 40V 0.6A SOT23 |
| Small signal current gain hfe | 60-500 |
| Current gain bandwidth product | 200MHz |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5.0V |
| Base emitter saturation ic 150ma | -0.75 to -0.95V |
| Base emitter saturation ic 500ma | -1.3V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40V |
| Total device dissipation alumina | 300mW |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -40V |
| Collector emitter saturation ic 150ma | -0.4V |
| Collector emitter saturation ic 500ma | -0.75V |
| Thermal resistance junction ambient fr5 | 556°C/W |
| Thermal resistance junction ambient alumina | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?