+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

MMBT4403

Артикул:1043008
У поставщика
ПроизводительDIOTEC
У поставщиков
1 636 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
500 шт · Склад 39 · 595,00 ₽
Описание

Транзистор MMBT4403 от DIOTEC — это PNP-транзистор в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток коллектора до 600 мА, напряжение до 40 В и мощность 250 мВт, с граничной частотой 200 МГц. Подходит для обработки сигналов, коммутации и усиления в компактных электронных устройствах.

Технические характеристики
Вес0.01g
КорпусSOT-23
Уровень MSL1
ПрименениеSignal processing, Switching, Amplification
Код маркировки2T
Материал корпусаUL 94V-0
Способ монтажаSMD
Коэф. усиления DC100 to 300 (at IC=-150mA, VCE=-2V)
Тип транзистораPNP
Рассеиваемая мощность250mW
Макс. ток коллектора600mA
Макс. температура пайки260°C
Switching fall time max30ns
Switching rise time max20ns
Complementary transistorMMBT4401
Напряжение эмиттер-база макс.5V
Switching delay time max15ns
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Напряжение коллектор-база макс.40V
Произведение усиления на полосу, тип.200MHz
Диапазон темп. перехода-55 to +150°C
Switching storage time max225ns
Макс. напр. К-Э40V
Макс. ёмкость коллектор-база8.5pF
Макс. ток отсечки эмиттер-база100nA
Макс. ток отсечки К-Б100nA
Breakdown voltage emitter base min5V
Макс. Uбэ нас.0.95V (at IC=-150mA, IB=-15mA); 1.3V (at IC=-500mA, IB=-50mA)
Breakdown voltage collector base min40V
Макс. ток отсечки коллектор-эмиттер100nA
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер40V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.40V (at IC=-150mA, IB=-15mA); 0.75V (at IC=-500mA, IB=-50mA)
Тепловое сопротивление переход-среда, тип.420K/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?