Документация
MMBT4403
У поставщика
ПроизводительDIOTEC
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 016 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 016 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,97 |
Описание
Транзистор MMBT4403 от DIOTEC — это PNP-транзистор в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток коллектора до 600 мА, напряжение до 40 В и мощность 250 мВт, с граничной частотой 200 МГц. Подходит для обработки сигналов, коммутации и усиления в компактных электронных устройствах.
Технические характеристики
| Вес | 0.01g |
| Корпус | SOT-23 |
| Уровень MSL | 1 |
| Применение | Signal processing, Switching, Amplification |
| Код маркировки | 2T |
| Материал корпуса | UL 94V-0 |
| Способ монтажа | SMD |
| Коэф. усиления DC | 100 to 300 (at IC=-150mA, VCE=-2V) |
| Transistor type | PNP |
| Рассеиваемая мощность | 250mW |
| Макс. ток коллектора | 600mA |
| Solder temperature max | 260°C |
| Switching fall time max | 30ns |
| Switching rise time max | 20ns |
| Complementary transistor | MMBT4401 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Switching delay time max | 15ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 40V |
| Gain bandwidth product typ | 200MHz |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Switching storage time max | 225ns |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Collector base capacitance max | 8.5pF |
| Макс. ток отсечки эмиттер-база | 100nA |
| Макс. ток отсечки К-Б | 100nA |
| Breakdown voltage emitter base min | 5V |
| Макс. Uбэ нас. | 0.95V (at IC=-150mA, IB=-15mA); 1.3V (at IC=-500mA, IB=-50mA) |
| Breakdown voltage collector base min | 40V |
| Collector emitter cutoff current max | 100nA |
| Breakdown voltage collector emitter min | 40V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.40V (at IC=-150mA, IB=-15mA); 0.75V (at IC=-500mA, IB=-50mA) |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 420K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?