Документация
Транзистор MMBT4401LT1G
У поставщика
У поставщиков
31 538 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт3,16 ₽
Сумма948,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии31 538 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 556 — 2,60 ₽ (−18%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 948,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 352,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 948,00 ₽
Описание
Транзистор MMBT4401LT1G от ON Semiconductor — это кремниевый NPN-биполярный транзистор общего назначения. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, что обеспечивает компактность и удобство автоматизированной сборки. Предназначен для использования в схемах усиления и коммутации сигналов, а также в качестве ключевого элемента в низковольтных цепях.
Технические характеристики
| Маркировка | 2X (device code) + M (date code) |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Макс. мощность | 300 mW |
| Без галогенов | Да |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | NPN |
| Описание | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 20 |
| Время спада | 30ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Снижение выше 25°C, FR5 | 1.8mW/°C |
| Задержка переключения | 15ns |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Диапазон входного импеданса | 1.0kΩ to 15kΩ |
| Частота перехода | 250MHz |
| Пиковый ток коллектора | 900mA |
| Время рассасывания | 225ns |
| Корпус по производителю | SOT-23-3 (TO-236) |
| Output admittance range | 1.0μmhos to 30μmhos |
| Снижение выше 25°C, оксид алюминия | 2.4mW/°C |
| Ёмкость базы эмиттера | 30pF |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Ёмкость коллектор-база | 6.5pF |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Непрерывный ток коллектора | 600mA |
| Общая рассеиваемая мощность, FR5 | 225mW |
| Voltage feedback ratio range | 0.1e-4 to 8.0e-4 |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Ток коллектора (Ic), макс. | 600 mA |
| Граничная частота усиления | 250MHz |
| Small signal current gain range | 40 to 500 |
| Рассеиваемая мощность, оксид алюминия | 300mW |
| Макс. Uбэ нас. | 1.2V |
| Коэфф. усиления по току (hFE), мин. при Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V |
| Тепловое сопротивление переход-среда, FR-5 | 556°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.75V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, макс. | 40 V |
| Тепловое сопротивление переход-среда, оксид алюминия | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?