Документация
Транзистор MMBT4401LT1G
У поставщика
У поставщиков
19 538 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:19 538 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 188 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,69 |
| от 515 | 3,06 |
| от 1 030 | 2,53 |
| от 2 060 | 2,15 |
| от 6 000 | 1,91 |
Описание
Транзистор MMBT4401LT1G от ON Semiconductor — это кремниевый NPN-биполярный транзистор общего назначения. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, что обеспечивает компактность и удобство автоматизированной сборки. Предназначен для использования в схемах усиления и коммутации сигналов, а также в качестве ключевого элемента в низковольтных цепях.
Технические характеристики
| Маркировка | 2X (device code) + M (date code) |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Power - Max | 300 mW |
| Без галогенов | Да |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Transistor Type | NPN |
| Описание | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 20 |
| Switching fall time | 30ns |
| Switching rise time | 20ns |
| Derate above 25c fr5 | 1.8mW/°C |
| Switching delay time | 15ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Input impedance range | 1.0kΩ to 15kΩ |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Collector current peak | 900mA |
| Switching storage time | 225ns |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Output admittance range | 1.0μmhos to 30μmhos |
| Derate above 25c alumina | 2.4mW/°C |
| Emitter base capacitance | 30pF |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Collector base capacitance | 6.5pF |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Непрерывный ток коллектора | 600mA |
| Total device dissipation fr5 | 225mW |
| Voltage feedback ratio range | 0.1e-4 to 8.0e-4 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current gain bandwidth product | 250MHz |
| Small signal current gain range | 40 to 500 |
| Total device dissipation alumina | 300mW |
| Макс. Uбэ нас. | 1.2V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 1V |
| Thermal resistance junction ambient fr5 | 556°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.75V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Thermal resistance junction ambient alumina | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?