+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBT4401
Документация

MMBT4401, биполярный транзистор [SOT23] =MMBT4401LT1G

Артикул:1206996
У поставщика
ПроизводительYJ
У поставщиков
1 846 111 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 666 110 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 10,60
Склад 12
В наличии:180 001 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 3000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12,07
от 2 5001,01
Описание

Биполярный NPN-транзистор MMBT4401 от производителя YJ в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА и рассеивает мощность до 350 мВт, подходит для быстрых переключений с временем нарастания 20 нс. Применяется в цепях управления, коммутации нагрузки и в бытовой электронике.

Технические характеристики
Маркировка2X
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Время спада30 ns
Время нарастания20 ns
Время задержки15 ns
АртикулMMBT4401
Время хранения225 ns
Входное сопротивление1.0 to 15.0 kΩ
Output admittance1.0 to 30 μmhos
Макс. коэф. усиления DC300
Hfe мин.20
Макс. ток коллектора600mA
Макс. рассеиваемая мощность350mW
Power derate above 25c2.8 mW/°C
Voltage feedback ratio0.1 to 8.0 x 10^-4
Emitter base capacitance30 pF
Напряжение эмиттер-база макс.6.0V
Small signal current gain40 to 500
Switching test conditionsVcc=30V, Veb=2V, Ic=150mA, Ib1=15mA, Ib2=15mA
Collector base capacitance6.5 pF
Напряжение коллектор-база макс.60V
Dc current gain conditionsIc=0.1mA to 500mA, Vce=1V to 2V
Диапазон темп. перехода-55 to +150°C
Макс. напр. К-Э40V
Current gain bandwidth product250 MHz
Макс. Uбэ нас.1.2V
Термосопротивление переход-среда357 °C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.75V
Base emitter saturation voltage conditionsIc=500mA, Ib=50mA
Collector emitter saturation voltage conditionsIc=500mA, Ib=50mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?