Документация
Транзистор MMBT4401
У поставщика
У поставщиков
7 467 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт1,28 ₽
Сумма128,00 ₽
В наличии112 шт
от 100 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии7 355 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 0,64 ₽
100 шт · Склад 2 · 128,00 ₽
Описание
Биполярный транзистор MMBT4401 от Yangjie в компактном корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА, напряжение коллектор-эмиттер 40 В и рассеивает до 300 мВт. Подходит для коммутации и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | биполярные |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | NPN General Purpose Amplifier |
| Артикул | MMBT4401 |
| Время спада | 60ns |
| Без галогенов | Да |
| Время нарастания | 20ns |
| Время задержки td | 15ns |
| Вес, г | 0.008 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Код упаковки F2 | F2 |
| Код упаковки F4 | F4 |
| Время хранения, ts | 225ns |
| Режим поставки F2 | 7" reel |
| Режим поставки F4 | 13" reel |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Тепловое сопротивление | 417 °C/Вт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 20 |
| Код маркировки | 2X |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Ток коллектора Ic | 600mA |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Рассеиваемая мощность Pd | 300mW |
| Частота перехода | 250 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Количество во внутренней коробке F2 | 30000 |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 мкА |
| Напряжение коллектор-база | 60 В |
| Макс. коэффициент усиления по току | 300 |
| Hfe мин. | 100 |
| Темп. перехода Tj | -55 to +150°C |
| Граничная частота ft | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.1 мкА |
| Кол-во в коробке (F2) | 120000 |
| Кол-во в коробке (F4) | 210000 |
| Температура хранения | -55 to +150°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 6V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40 В |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 60V |
| Мин. количество в упаковке F2 | 3000 |
| Мин. количество в упаковке F4 | 10000 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 40V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60 В |
| Ток отсечки эмиттер-база IEBO | 100nA |
| Обратный ток коллектор-база (ICBO) | 100nA |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 В |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер ICEO | 100nA |
| Пробивное эмиттер-база | 6V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер Vbesat | 0.95V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 60V |
| Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC | 334°C/W |
| Напряж. пробоя К-Э | 40V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.4V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |
| Мощность, Вт | 0,3 |
Аналоги
- PMBT4401Китай
Заметили ошибку в описании или параметрах?