Документация
Транзистор MMBT4401
У поставщика
У поставщиков
43 536 шт.
Норм. уп.: 300
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:32 857 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 356 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,94 |
| от 956 | 1,55 |
| от 1 912 | 1,23 |
| от 6 000 | 1,01 |
| от 9 000 | 0,89 |
Склад 14
В наличии:6 778 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 0,82 |
Склад 12
В наличии:3 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 300
Минимальная партия: 3000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,07 |
| от 300 | 0,89 |
| от 3 000 | 0,78 |
Склад 39
В наличии:1 шт.
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,38 |
Описание
Транзистор биполярный MMBT4401 от HOTTECH. Выполнен в корпусе SOT-23, рассчитан на ток коллектора до 600 мА и напряжение до 40 В, рассеиваемая мощность — 300 мВт. Подходит для коммутации и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN Bipolar Transistor |
| Вес | 0.008 grams |
| Маркировка | 2X |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 60ns |
| Время нарастания | 20ns |
| Время задержки | 15ns |
| Размеры | A1 standoff: Max: 0.1; Min: 0; Единица: mm; B lead width: Max: 0.5; Min: 0.3; Единица: mm; E1 lead span: Max: 2; Min: 1.8; Единица: mm; E body width: Max: 1.4; Min: 1.2; Единица: mm; E lead pitch: Typ: 0.95; Единица: mm; D body length: Max: 3; Min: 2.8; Единица: mm; L lead length: Ref: 0.55; Единица: mm; A2 body height: Max: 1.05; Min: 0.9; Единица: mm; A total height: Max: 1.15; Min: 0.9; Единица: mm; L1 foot length: Max: 0.5; Min: 0.3; Единица: mm; C lead thickness: Max: 0.15; Min: 0.08; Единица: mm; E1 overall width: Max: 2.55; Min: 2.25; Единица: mm; Theta lead angle: Max: 8; Min: 0; Единица: ° |
| Время хранения | 225ns |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Ток коллектора | 600 мА |
| Рассеиваемая мощность | 300 мВт |
| Test condition fT | V_CE=10V, I_C=20mA, f=100MHz |
| Тепловое сопротивление | 417 °C/Вт |
| Структура | NPN |
| Dc current gain hfe | Vce 1v ic 1ma: 40 min; Vce 1v ic 10ma: 80 min; Vce 1v ic 0.1ma: 20 min; Vce 1v ic 150ma: 100-300; Vce 2v ic 500ma: 40 min |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 20 |
| Темп. хранения | -55～+150 °C |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Suggested pad layout | refer to datasheet |
| Частота перехода | 250MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Макс. ток коллектора | 600mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300mW |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 мкА |
| Напряжение коллектор-база | 60 В |
| Ток отсечки коллектора | 0.1 мкА |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Hfe classification range | 100-300 |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Tape and reel dimensions | Carrier tape width: 8.00mm ±0.1; Reel diameter 7inch: 178mm ±2 |
| Диап. темп. хр. | -55°C ~ +150°C |
| Switching test conditions | V_CC=30V, V_BE(OFF)=2V, I_C=150mA, I_B1=15mA, I_B2=15mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40 В |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60V |
| Ток отсечки эмиттера EBO | 0.1µA |
| Ток отсечки коллектора CBO | 0.1µA |
| Ток отсечки коллектора CEX | 0.1µA |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V min |
| Напр. нас. база-эмиттер | Ic 150ma ib 15ma: 0.95V; Ic 500ma ib 50ma: 1.2V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60V min |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40V min |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 417°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Ic 150ma ib 15ma: 0.4V; Ic 500ma ib 50ma: 0.75V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.75 В |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 40 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?