+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBT4401
Документация

MMBT4401

Артикул:1041969
У поставщика
ПроизводительDIOTEC
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
95 847 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:95 847 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,65
Описание

Транзистор MMBT4401 от DIOTEC — это NPN кремниевый эпитаксиально-планарный ключ в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает ток коллектора до 600 мА при напряжении до 40 В, рассеивает до 350 мВт, граничная частота — 250 МГц. Подходит для коммутации сигналов и усилительных каскадов в промышленной автоматике и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипNPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
АртикулMMBT4401
Коэф. усиления DCConditions: I C: 0.1mA; Min: 20; V CE: 1V, I C: 1.0mA; Min: 40; V CE: 1V, I C: 10mA; Min: 80; V CE: 1V, I C: 150mA; Max: 300; Min: 100; V CE: 1V, I C: 500mA; Min: 40; V CE: 2V
Частота перехода250MHz at V_CE=10V, I_C=20mA
Макс. ток коллектора600mA
Напряжение эмиттер-база макс.6V
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Ток отсечки эмиттера EBO0.1μA max at V_EB=5V, I_C=0
Диапазон темп. перехода-55°C to 150°C
Напряжение коллектор-база макс.60V
Мощн. коллектора350mW
Ток отсечки коллектора CBO0.1μA max at V_CB=50V, I_E=0
Ток отсечки коллектора CEO0.1μA max at V_CE=35V, I_B=0
Выходная емкость коллектора6.5pF at V_CB=5V, I_E=0, f=1MHz
Напряжение коллектор-эмиттер макс.40V
Напряжение пробоя эмиттер-база6V min at I_E=100μA, I_C=0
Напр. нас. база-эмиттерConditions: I B: 15mA; I C: 150mA; Max: 0.95V; Min: 0.75V, I B: 50mA; I C: 500mA; Max: 1.2V
Напряжение пробоя коллектор-база60V min at I_C=100μA, I_E=0
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер40V min at I_C=1mA, I_B=0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерConditions: I B: 15mA; I C: 150mA; Max: 0.4V, I B: 50mA; I C: 500mA; Max: 0.75V

Заметили ошибку в описании или параметрах?