Документация
MMBT3906, Биполярный транзистор 40В 0.2А 300мВт SOT-23
У поставщика
ПроизводительYJ
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
565 781 шт.
Норм. уп.: 2000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт0,38 ₽
Сумма760,00 ₽
В наличии355 781 шт
от 2 000 штюрлицам и ИП
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии210 000 шт
от 20 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 20 000 штпри 20 000 — 0,68 ₽
2 000 шт · Склад 39 · 760,00 ₽
Описание
Биполярный PNP транзистор MMBT3906 от производителя YJ. Работает при напряжении до 40 В и токе коллектора до 0,2 А, рассеиваемая мощность — 300 мВт. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, имеет коэффициент усиления по току от 100 до 300. Подходит для общего применения в усилительных и коммутационных цепях бытовой электроники.
Технические характеристики
| RoHS | Да |
| Тип | PNP General Purpose Amplifier |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 2A |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. мощность | 250 mW |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип транзистора | PNP |
| Коэффициент шума (NF) | 4.0 dB at VCE=-5V, f=1kHz, IC=-100µA, RS=1kΩ |
| Описание | TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3 |
| Структура | PNP |
| Коэфф. усиления по току hFE | Max: 300; Min: 100; Condition: IC=-10mA, VCE=-1V, Min: 60; Condition: IC=-50mA, VCE=-1V, Min: 30; Condition: IC=-100mA, VCE=-1V |
| Ток коллектора Ic | -0.2A |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Частота перехода | 250MHz |
| Доступно без галогенов | Да |
| Корпус по производителю | SOT-23 (TO-236) |
| Граничная частота ft | 250 MHz at IC=-10mA, VCE=-20V, f=100MHz |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5.0V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -40V |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Ток коллектора (Ic), макс. | 200 mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5.0V at IE=-10µA, IC=0 |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -40V |
| Pк | 300mW |
| Макс. ток отсечки коллектора | 50nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -40V at IC=-10µA, IE=0 |
| Ток отсечки эмиттер-база IEBO | -0.1µA at VEB=-5V |
| Обратный ток коллектор-база (ICBO) | -0.1µA at VCB=-40V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -40V at IC=-1mA, IB=0 |
| Emitter base input capacitance cibo | 10pF at VEB=-0.5V, f=1MHz |
| Диапазон температуры перехода | -55 to +150°C |
| Коэфф. усиления по току (hFE), мин. при Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Collector emitter cutoff current icex | -50nA at VCE=-30V, VBE=-3V |
| Collector base output capacitance cobo | 4.5pF at VCB=-5V, f=1MHz |
| Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) | Max: -0.85V; Min: -0.65V; Condition: IC=-10mA, IB=-1mA, Value: -0.95V; Condition: IC=-50mA, IB=-5mA |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 40 |
| Коэф-т передачи тока hfe | 100 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat) | Value: -0.25V; Condition: IC=-10mA, IB=-1mA, Value: -0.4V; Condition: IC=-50mA, IB=-5mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?