Документация
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
У поставщика
ПроизводительGalaxy ME
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 273 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 273 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 1138 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 0,71 |
| от 477 | 0,61 |
| от 584 | 0,53 |
| от 1 168 | 0,48 |
| от 3 000 | 0,45 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор MMBT3906 от производителя Galaxy ME. Рабочее напряжение до 40 В, ток до 0,1 А и мощность 0,35 Вт в компактном корпусе SOT-23. Частота переключения превышает 250 МГц. Подходит для коммутации сигналов и усиления в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP General Purpose Transistor |
| I c max | -100mA |
| Маркировка | 2A |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Shipping | 3000/Tape&Reel |
| I bm peak | -100mA |
| I cm peak | -200mA |
| V cbo max | -40V |
| V ceo max | -40V |
| V ebo max | -6V |
| Корпус | SOT-23 |
| Коэф. усиления DC | V ce: -1V; Conditions: I c: -0.1mA; Min: 60, I c: -1mA; Min: 80, I c: -10mA; Max: 300; Min: 100, I c: -50mA; Min: 60, I c: -100mA; Min: 30 |
| Switching times | Макс. время спада: 75ns; Макс. время нарастания: 35ns; Delay time max: 35ns; Условия теста: Ic=-10mA, Ib1=-1mA, Ib2=-1mA (for turn-off); Storage time max: 225ns; Макс. время включения: 65ns; Макс. время выключения: 300ns |
| Noise figure max | 4dB (Ic=-100µA, Vce=-5V, Rs=1kΩ, f=10Hz-15.7kHz) |
| Complementary npn | MMBT3904 |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диапазон температур хранения | -65 to +150°C |
| Emitter capacitance | 10pF (Veb=-0.5V, f=1MHz) |
| Collector capacitance | 4.5pF (Vcb=-5V, f=1MHz) |
| Размеры корпуса мм | A: Max: 2.95; Min: 2.85; B: Max: 1.35; Min: 1.25; C: Typical: 1; D: Max: 0.43; Min: 0.37; E: Max: 0.48; Min: 0.35; G: Max: 1.95; Min: 1.85; H: Max: 0.1; Min: 0.02; J: Typical: 0.1; K: Max: 2.45; Min: 2.35 |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Мин. частота перехода | 250MHz (Ic=-10mA, Vce=-20V, f=100MHz) |
| Emitter cut off current max | -50nA |
| Operating ambient temp range | -65 to +150°C |
| Описание (англ.) | PNP 40В/0.1А/0.35Вт f>250МГц |
| Collector cut off current max | -50nA |
| Напр. нас. база-эмиттер | I b: -1mA; I c: -10mA; Max: -850mV, I b: -5mA; I c: -50mA; Max: -950mV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | I b: -1mA; I c: -10mA; Max: -200mV, I b: -5mA; I c: -50mA; Max: -300mV |
Заметили ошибку в описании или параметрах?