Документация
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 968 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт5,59 ₽
Сумма1 118,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 968 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 372 — 5,03 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 118,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 182,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 1 118,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор MMBT3904WT1G от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 40 В и токе до 0,2 А с мощностью 0,35 Вт в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации сигналов и усиления в промышленной автоматике и автомобильной электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | AM |
| Корпус | SOT-323/SC-70 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Без свинца | Да |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Нет |
| Макс. время спада | 50ns |
| Макс. время нарастания | 35ns |
| Макс. время задержки | 35ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. коэфф. шума | 5dB |
| Макс. время хранения | 200ns |
| AEC-Q101 | Нет |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 40 |
| Input impedance max | 10kΩ |
| Input impedance min | 1kΩ |
| Макс. ток коллектора | 200mA |
| Входная емкость макс. | 8pF |
| Output admittance max | 40µmho |
| Output admittance min | 1µmho |
| Макс. выходная емкость | 4pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Общая рассеиваемая мощность | 150mW |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60V |
| Voltage feedback ratio max | 8e-4 |
| Voltage feedback ratio min | 0.5e-4 |
| Описание (англ.) | NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Small signal current gain max | 400 |
| Small signal current gain min | 100 |
| Мин. граничная частота усиления | 300MHz |
| Макс. Uбэ нас. | 0.85V |
| Мин. напряжение насыщения база-эмиттер | 0.65V |
| Диапазон температур перехода и хранения | -55 to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 833°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.2V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?