+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBT3904LT1G
Документация

Транзистор MMBT3904LT1G

Артикул:90264
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
Ед. изм.шт
У поставщиков
61 133 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 035,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 265,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
500 шт · Склад 13 · 1 035,00 ₽
Описание

Транзистор MMBT3904LT1G от ON Semiconductor — это кремниевый NPN-биполярный транзистор общего назначения. Выполнен в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Предназначен для применения в схемах коммутации и усиления сигналов, обеспечивая надежную работу в низковольтных цепях.

Технические характеристики
Граничная частота fT300MHz
Nf5.0dB
Время задержки td35ns
Tf50ns
Tr35ns
Время хранения ts200ns
Hie1.0 to 10kΩ
Hoe1.0 to 40µmhos
Hre0.5 to 8.0e-4
Ibl50nA
Cibo8.0pF
Cobo4.0pF
Ток отсечки Icex50nA
Напряжение коллектор-база Vcbo60V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo40V
Напряжение эмиттер-база Vebo6.0V
Hfe 1ma70
Пиковый ток коллектора900mA
КорпусSOT-23 (TO-236)
Температура перехода и хранения-55 to +150°C
Напряжение пробоя коллектор-база60V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер40V
Напряжение пробоя эмиттер-база6.0V
Hfe 10ma100 to 300
Hfe 50ma60
Тип монтажаSMD
КомпонентMMBT3904LT1G
Hfe 0 1ma40
Hfe 100ma30
Кол-во выводов3
Тепловое сопротивление кристалл-среда (FR5)556°C/W
СоответствиеPb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant
Pd alumina300mW
ОписаниеGeneral Purpose Transistor NPN Silicon
Pd fr5 board225mW
Vbe sat 10ma0.65 to 0.85V
Vbe sat 50ma0.95V
Vce sat 10ma0.2V
Vce sat 50ma0.3V
Непрерывный ток коллектора200mA
Информация для заказаMMBT3904LT1G: SOT-23 3000/Tape & Reel; MMBT3904LT3G: SOT-23 10000/Tape & Reel; SMMBT3904LT1G: SOT-23 3000/Tape & Reel; SMMBT3904LT3G: SOT-23 10000/Tape & Reel
Снижение мощности, FR51.8mW/°C
КвалификацияAEC-Q101 Qualified, PPAP Capable (S Prefix)
Тепловое сопротивление кристалл-среда (Al2O3)417°C/W
Hfe small signal100 to 400
ОписаниеBipolar Transistors - BJT NPN GENERAL PURPOSE
Снижение мощности, оксид алюминия2.4mW/°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?