Документация
Транзистор MMBT3904
У поставщика
У поставщиков
464 254 шт.
Норм. уп.: 300
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1,45 ₽
дешевле всех
Сумма725,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии84 173 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 500 штюрлицам и ИП
от 1 037 — 1,14 ₽ (−21%)
Склад 39срок до недели
Цена за шт1,60 ₽
Сумма800,00 ₽
В наличии379 731 шт
от 500 штюрлицам и ИП
от 3 000 — 0,80 ₽ (−50%)
500 шт · Склад 39 · 800,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный NPN MMBT3904 от HOTTECH. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа, отличается высоким быстродействием с временем нарастания до 35 нс и спада до 50 нс. Подходит для высокоскоростных схем переключения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN switching transistor |
| Корпус | SOT23 |
| Цоколевка | Base: 1; Emitter: 2; Collector: 3 |
| Pitch e | 0.95mm |
| Width e | 1.4mm |
| Length d | 3.0mm |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 3.0mm x 1.4mm x 1.1mm |
| Применение | General switching and amplification |
| Height a max | 1.1mm |
| Height a min | 0.9mm |
| Lead span he | 2.5mm |
| Код маркировки | 7A* |
| Макс. время спада | 50ns |
| Pn complement | MMBT3906 |
| Макс. время нарастания | 35ns |
| Макс. время задержки | 35ns |
| Коэф. усиления DC | Ic 1mA min: 80; Ic 10mA max: 300; Ic 10mA min: 100; Ic 50mA min: 60; Ic 0.1mA min: 60; Ic 100mA min: 30 |
| Версия корпуса | SOT23 |
| Время переключения | Макс. время спада: 50ns; Макс. время нарастания: 35ns; Макс. время задержки: 35ns; Макс. время хранения: 200ns |
| Body position e1 | 1.9mm |
| Footprint lp max | 0.55mm |
| Footprint lp min | 0.45mm |
| Макс. коэфф. шума | 5dB |
| Макс. время хранения | 200ns |
| Комплементарный PNP | MMBT3906 |
| Lead width bp max | 0.48mm |
| Lead width bp min | 0.38mm |
| Пиковый ток базы | 100mA |
| Lead thickness c max | 0.15mm |
| Lead thickness c min | 0.09mm |
| Макс. ток коллектора | 200mA |
| Размеры корпуса мм | A: 0.9-1.1; D: 2.8-3.0; E: 1.2-1.4; Q: 0.45-0.55; C: 0.09-0.15; E: 0.95 typ; V: 0.2; Мощность: 0.1; A1: 0-0.1; HE: 2.1-2.5; Lp: 0.45-0.55; Bp: 0.38-0.48; E1: 1.9 |
| Макс. пиковый ток базы | 100mA |
| Пиковый ток коллектора | 200mA |
| Ёмкость эмиттера, макс. | 8pF |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тепл. хар-ки | Mounting condition: FR4 printed-circuit board; Термосопротивление переход-среда: 500K/W |
| Общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Предельные значения | Ток коллектора: 200mA; Пиковый ток базы: 100mA; Напряжение эмиттер-база: 6V; Темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-база: 60V; Пиковый ток коллектора: 200mA; Общая рассеиваемая мощность: 250mW; Напряжение коллектор-эмиттер: 40V; Диап. темп. хр.: -65°C to +150°C; Диапазон темп. окр.: -65°C to +150°C |
| Макс. ток коллектора DC | 200mA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 6V |
| Мин. частота перехода | 300MHz |
| Емкость коллектора, макс. | 4pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 60V |
| Dc current gain min at 1mA | 80 |
| Электрические характеристики | Коэффициент шума: max 5dB; Коэф. усиления DC: Ic 1mA: min 80; Ic 10mA: 100-300; Ic 50mA: min 60; Ic 0.1mA: min 60; Ic 100mA: min 30; Условия теста: VCE=1V; pulse test tp<=300us, duty<=0.02; Время переключения: Время спада: max 50ns; Время нарастания: max 35ns; Conditions: IC=10mA, IBon=1mA, IBoff=-1mA; Время задержки: max 35ns; Время хранения: max 200ns; Ёмкость эмиттера: max 8pF; Частота перехода: min 300MHz; Ёмкость коллектора: max 4pF; Ток отсечки эмиттера: max 50nA; Ток отсечки коллектора: max 50nA; Напр. нас. база-эмиттер: Ic 10mA ib 1mA: 650-850mV; Ic 50mA ib 5mA: max 950mV; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Ic 10mA ib 1mA: max 200mV; Ic 50mA ib 5mA: max 300mV |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 50nA |
| Макс. напряжение коллектор-база | 60V |
| Пиковый ток коллектора, макс. | 200mA |
| Dc current gain max at 10mA | 300 |
| Dc current gain min at 10mA | 100 |
| Dc current gain min at 50mA | 60 |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 250mW |
| Макс. ток отсечки коллектора | 50nA |
| Dc current gain min at 0.1mA | 60 |
| Dc current gain min at 100mA | 30 |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 40V |
| Напр. нас. база-эмиттер | 650-850mV at 10mA/1mA, max 950mV at 50mA/5mA |
| Макс. температура окружающей среды | 150°C |
| Мин. температура окружающей среды | -65°C |
| Диапазон темп. окр. | -65°C to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500K/W |
| Термосопротивление переход-среда | 500K/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 200mV at 10mA/1mA, 300mV at 50mA/5mA |
| Base emitter saturation voltage at 10mA 1mA max | 850mV |
| Base emitter saturation voltage at 10mA 1mA min | 650mV |
| Base emitter saturation voltage at 50mA 5mA max | 950mV |
| Collector emitter saturation voltage at 10mA 1mA max | 200mV |
| Collector emitter saturation voltage at 50mA 5mA max | 300mV |
| Тип транзистора | NPN switching transistor |
Заметили ошибку в описании или параметрах?