Документация
MMBT3904, Биполярный транзистор NPN 60В 200мА 200мВт SOT-23-3 (=MMBT3904LT1)
У поставщика
ПроизводительFulihao Tech
У поставщиков
2 200 шт.
Норм. уп.: 450
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 450
Минимальная партия: 4500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,25 |
| от 450 | 5,78 |
| от 4 500 | 5,26 |
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Маркировка | 1AM |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Предельные значения | Ток коллектора: 200mA; Напряжение эмиттер-база: 6V; Напряжение коллектор-база: 60V; Макс. темп. перехода: 150°C; Total device dissipation: 200mW; Напряжение коллектор-эмиттер: 40V; Диап. темп. хр.: -55°C to +150°C; Термосопротивление переход-среда: 625°C/W |
| Complementary type | MMBT3906 |
| Структура | NPN |
| Электрические характеристики | Коэф. усиления DC: H FE1: Max: 300; Min: 100; Conditions: V_CE=1V, I_C=10mA; H FE2: Min: 60; Conditions: V_CE=1V, I_C=50mA; H FE3: Min: 30; Conditions: V_CE=1V, I_C=100mA; Switching times: Время спада: Max: 50ns; Conditions: V_CC=3V, I_C=10mA, I_B1=-I_B2=1mA; Время нарастания: Max: 35ns; Conditions: V_CC=3V, V_BE=-0.5V, I_C=10mA, I_B1=-I_B2=1mA; Время задержки: Max: 35ns; Conditions: V_CC=3V, V_BE=-0.5V, I_C=10mA, I_B1=-I_B2=1mA; Время хранения: Max: 200ns; Conditions: V_CC=3V, I_C=10mA, I_B1=-I_B2=1mA; Частота перехода: Min: 300MHz; Conditions: V_CE=20V, I_C=10mA, f=100MHz; Ток отсечки эмиттера EBO: Max: 0.1μA; Conditions: V_EB=5V, I_C=0; Ток отсечки коллектора CBO: Max: 0.1μA; Conditions: V_CB=60V, I_E=0; Ток отсечки коллектора CEX: Max: 50nA; Conditions: V_CE=30V, V_BE(off)=3V; Напряжение пробоя эмиттер-база: Min: 6V; Conditions: I_E=10μA, I_C=0; Напр. нас. база-эмиттер: Max: 0.95V; Conditions: I_C=50mA, I_B=5mA; Напряжение пробоя коллектор-база: Min: 60V; Conditions: I_C=10μA, I_E=0; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: Min: 40V; Conditions: I_C=1mA, I_B=0; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Max: 0.3V; Conditions: I_C=50mA, I_B=5mA |