+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBT3904,215
Документация

MMBT3904,215, Биполярный транзистор SOT-23 (TO-236AB)

Артикул:1206994
У поставщика
ПроизводительNEX-NXP
У поставщиков
72 шт.
Норм. уп.: 100
Описание

Биполярный NPN-транзистор MMBT3904 от NEX-NXP в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 40 В, ток коллектора до 200 мА и рассеиваемую мощность 350 мВт. Подходит для усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике, промышленной автоматике и портативных устройствах.

Технические характеристики
ТипNPN General-Purpose Amplifier
Маркировка1A
КорпусSOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажаSMD
АртикулMMBT3904,215
КорпусSOT-23-3
Время переключенияВремя спада: 50ns; Время нарастания: 35ns; Время задержки: 35ns; Время хранения: 200ns
Снижение выше 25°C2.8mW/°C
Коэфф. усиления по току hFEIc 1ma vce 1v min: 70; Ic 10ma vce 1v max: 300; Ic 10ma vce 1v min: 100; Ic 50ma vce 1v min: 60; Ic 0.1ma vce 1v min: 40; Ic 100ma vce 1v min: 30
Тип. коэфф. шума5dB
Входная емкость макс.8pF
Макс. рассеиваемая мощность350mW
Макс. выходная емкость4pF
Base cutoff current max50nA
Напряжение эмиттер-база макс.6V
Напряжение коллектор-база макс.60V
Макс. ток отсечки коллектора50nA
Частота переходов, тип.300MHz
Макс. напр. К-Э40V
Напр. нас. база-эмиттерIc 10ma ib 1ma: 0.65V to 0.85V; Ic 50ma ib 5ma max: 0.95V
Макс. пост. ток коллектора200mA
Breakdown voltage emitter base min6V
Breakdown voltage collector base min60V
Термосопротивление переход-среда357°C/W
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер40V
Диапазон раб. и темп. хранения-55°C to 150°C
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.Ic 10ma ib 1ma: 0.2V; Ic 50ma ib 5ma: 0.3V

Заметили ошибку в описании или параметрах?