Документация
Транзисторы и сборки биполярные MMBT2907ALT1G
У поставщика
ПроизводительONS
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
86 123 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:86 123 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,21 |
| от 1 306 | 2,60 |
| от 2 177 | 2,27 |
| от 3 647 | 2,00 |
| от 6 097 | 1,82 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор MMBT2907ALT1G от ON Semiconductor в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 60 В и постоянный ток коллектора до 600 мА при максимальной рассеиваемой мощности 300 мВт. Граничная частота 200 МГц, рабочая температура от -55 до +150 °C. Подходит для коммутации нагрузки, усилительных каскадов и схем управления в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Power - Max | 300 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Описание | TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?