Документация
Транзистор MMBT2907A
У поставщика
У поставщиков
6 116 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт0,70 ₽
Сумма700,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии6 116 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 1 000 штюрлицам и ИП
от 1 008 — 0,61 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 700,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 600,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 000 шт · Склад 13 · 700,00 ₽
Описание
Транзистор MMBT2907A от Yangjie — биполярный PNP-ключ в компактном корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до -600 мА и напряжение до -60 В, рассеивая до 250 мВт. Частота переключения достигает 200 МГц. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Маркировка | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBT2907A |
| Время спада | 60 нс |
| Время нарастания | 25 нс |
| Время задержки | 10 нс |
| Описание | PNP General Purpose Amplifier |
| Вес ед. | 0.008g |
| Без галогенов | Да |
| Время хранения | 225 нс |
| Способ поставки | 7" reel |
| Соотв. RoHS | Да |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Ток коллектора | -0.6A |
| Ток коллектора | -600 мА |
| Рассеиваемая мощность | 250 мВт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 75 |
| Класс горючести | UL-94 V-0 |
| Темп. хранения | -55 to +150 °C |
| Ток отсечки базы | -10 нА |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Частота перехода | 200 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение коллектор-база | -60V |
| Dc current gain ic 1ma | 100 |
| Напряжение коллектор-база | -60 В |
| Dc current gain ic 10ma | 100 |
| Dc current gain ic 0 1ma | 75 |
| Dc current gain ic 500ma | 50 |
| Ток отсечки коллектора | -20 нА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60 В |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| Мощн. коллектора | 300mW |
| Dc current gain ic 150ma max | 300 |
| Dc current gain ic 150ma min | 100 |
| Ток отсечки коллектор-база | -0.1uA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -60 В |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | -0.05uA |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | -50 нА |
| Макс. Uбэ нас. | -2.6 В |
| Мин. напряжение насыщения база-эмиттер | -1.3 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -60 В |
| Термосопротивление переход-среда | 500 °C/Вт |
| Base emitter saturation voltage ic 150ma | -1.3V |
| Base emitter saturation voltage ic 500ma | -2.6V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -1.6 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 В |
| Collector emitter saturation voltage ic 150ma | -0.4V |
| Collector emitter saturation voltage ic 500ma | -1.6V |
| Мощность, Вт | 0,25 |
| Напряжение, В | 60 |
| Тип транзистора | PNP |
Заметили ошибку в описании или параметрах?