Документация
Транзистор MMBT2907A
В наличии
На своём складе
22 527 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,54 |
| от 800 | 0,51 |
| от 2 000 | 0,49 |
| от 4 000 | 0,48 |
Описание
Транзистор биполярный PNP MMBT2907A от KEEN SIDE. Работает при напряжении до -60 В, токе коллектора до 600 мА и мощности 250 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Частота переключения достигает 200 МГц. Подходит для ключевых схем и усилителей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Вывод 1 | BASE |
| Вывод 2 | EMITTER |
| Вывод 3 | COLLECTOR |
| RthJA | 500°C/W |
| Ft мин. | 200MHz |
| Pd макс. | 250mW |
| Td max | 10ns |
| Макс. TF | 60ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Макс. TR | 25ns |
| Ts max | 225ns |
| Маркировка | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Icbo макс. | -20nA |
| Icex max | -50nA |
| Макс. IEBO | -10nA |
| Макс. Tstg | +150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | -60V |
| Vceo макс. | -60V |
| Vebo макс. | -5V |
| Время спада | 60 нс |
| Hfe 1 max | 300 |
| Hfe 1 min | 100 |
| Hfe 2 min | 75 |
| Hfe 3 min | 100 |
| Hfe 4 min | 100 |
| Hfe 5 min | 50 |
| Время нарастания | 25 нс |
| Vbe sat 1 | -1.3V |
| Vbe sat 2 | -2.6V |
| Vce sat 1 | -0.4V |
| Vce sat 2 | -1.6V |
| Время задержки | 10 нс |
| Артикул | MMBT2907A |
| Vbr cbo min | -60V |
| Vbr ceo min | -60V |
| Vbr ebo min | -5V |
| Ft condition | VCE=-20V, IC=-50mA, f=100MHz |
| Выводы корпуса | 3 |
| Время хранения | 225 нс |
| Тип компонента | PNP Transistor |
| Die construction | Epitaxial planar |
| Complementary npn | MMBT2222A |
| Ток коллектора | -600 мА |
| Макс. непрерывный Iс | -600mA |
| Рассеиваемая мощность | 250 мВт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 75 |
| Темп. хранения | -55 to +150 °C |
| Switching condition | VCE=-30V, IC=-150mA, IB1=-15mA / VCE=-6V, IC=-150mA, IB1=-IB2=-15mA |
| Vbe sat 1 condition | IC=-150mA, IB=-15mA |
| Vbe sat 2 condition | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Vce sat 1 condition | IC=-150mA, IB=-15mA |
| Vce sat 2 condition | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Ток отсечки базы | -10 нА |
| Hfe 1 test condition | VCE=-10V, IC=-150mA |
| Hfe 2 test condition | VCE=-10V, IC=-0.1mA |
| Hfe 3 test condition | VCE=-10V, IC=-1mA |
| Hfe 4 test condition | VCE=-10V, IC=-10mA |
| Hfe 5 test condition | VCE=-10V, IC=-500mA |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Частота перехода | 200 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Temperature rating max | +150°C |
| Temperature rating min | -55°C |
| Напряжение коллектор-база | -60 В |
| Hfe classification range | 100-300 |
| Ток отсечки коллектора | -20 нА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -60 В |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | -50 нА |
| Макс. Uбэ нас. | -2.6 В |
| Мин. напряжение насыщения база-эмиттер | -1.3 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -60 В |
| Термосопротивление переход-среда | 500 °C/Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -1.6 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 В |