Документация
Транзистор MMBT2907A
В наличии
На своём складе
18 327 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт0,65 ₽
Сумма195,00 ₽
В наличии18 327 шт
от 300 шт
от 800 — 0,61 ₽ (−6%)
300 шт · Москва · 195,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный PNP MMBT2907A от KEEN SIDE. Работает при напряжении до -60 В, токе коллектора до 600 мА и мощности 250 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Частота переключения достигает 200 МГц. Подходит для ключевых схем и усилителей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Вывод 1 | основание |
| Вывод 2 | эмиттер |
| Вывод 3 | коллектор |
| RthJA | 500°C/W |
| Pd макс. | 250mW |
| Макс. время задержки | 10ns |
| Макс. TF | 60ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Макс. TR | 25ns |
| Макс. время хранения заряда | 225ns |
| Маркировка | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Icbo макс. | -20nA |
| Макс. ICEX | -50nA |
| Макс. IEBO | -10nA |
| Макс. Tstg | +150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | -60V |
| Vceo макс. | -60V |
| Vebo макс. | -5V |
| Время спада | 60 нс |
| Макс. hFE1 | 300 |
| Мин. hFE1 | 100 |
| Мин. hFE2 | 75 |
| Мин. hFE3 | 100 |
| Мин. hFE4 | 100 |
| Мин. hFE5 | 50 |
| Время нарастания | 25 нс |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -1.3V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -2.6V |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -0.4V |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -1.6V |
| Время задержки | 10 нс |
| Артикул | MMBT2907A |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-база | -60V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -60V |
| Мин. напряжение пробоя эмиттер-база | -5V |
| Условия измерения граничной частоты | VCE=-20V, IC=-50mA, f=100MHz |
| Выводы корпуса | 3 |
| Время хранения | 225 нс |
| Тип компонента | PNP-транзистор |
| Конструкция кристалла | Эпитаксиально-планарный |
| Комплементарный NPN | MMBT2222A |
| Ток коллектора | -600 мА |
| Макс. непрерывный Iс | -600mA |
| Рассеиваемая мощность | 250 мВт |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 75 |
| Темп. хранения | -55 to +150 °C |
| Условия переключения | VCE=-30V, IC=-150mA, IB1=-15mA / VCE=-6V, IC=-150mA, IB1=-IB2=-15mA |
| Условия Uбэ нас. 1 | IC=-150mA, IB=-15mA |
| Условия Uбэ нас. 2 | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Условия Uкэ нас. 1 | IC=-150mA, IB=-15mA |
| Условия Uкэ нас. 2 | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Ток отсечки базы | -10 нА |
| Условия hFE1 | VCE=-10V, IC=-150mA |
| Условия hFE2 | VCE=-10V, IC=-0.1mA |
| Условия hFE3 | VCE=-10V, IC=-1mA |
| Условия hFE4 | VCE=-10V, IC=-10mA |
| Условия hFE5 | VCE=-10V, IC=-500mA |
| Темп. перехода | 150 °C |
| Частота перехода | 200 МГц |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Макс. температура | +150°C |
| Мин. температура | -55°C |
| Напряжение коллектор-база | -60 В |
| Диапазон классификации hFE | 100-300 |
| Ток отсечки коллектора | -20 нА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60 В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -60 В |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | -50 нА |
| Макс. Uбэ нас. | -2.6 В |
| Мин. напряжение насыщения база-эмиттер | -1.3 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -60 В |
| Термосопротивление переход-среда | 500 °C/Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -1.6 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 В |
| Граничная частота, МГц | 200 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 100 |
| Мощность, Вт | 0,25 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,4 |
| Напряжение, В | 60 |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток измерения hFE, мА | 150 |
| Ток, А | 0,6 |
Аналоги
- PMBT2907ANEXPERIA
Заметили ошибку в описании или параметрах?