Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор MMBT2907A / SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
63 239 шт.
Норм. уп.: 300
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт1,14 ₽
Сумма1 140,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии30 395 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 1 000 штюрлицам и ИП
от 1 189 — 0,99 ₽ (−13%)
Склад 14срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии30 444 шт
+700,00 ₽ на каждый заказ со склада, в ценах позицийтолько упаковками по 3 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 3 000 штпри 3 000 — 1,22 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 140,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 160,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
1 000 шт · Склад 13 · 1 140,00 ₽
Описание
Транзистор MMBT2907A от HOTTECH — это PNP-компонент в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток коллектора до -600 мА, напряжение коллектор-эмиттер до -60 В и мощность рассеивания 250 мВт. Подходит для ключевых схем и усилителей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Единица | mm |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 2F |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Complementary to MMBT2222A, Epitaxial planar die construction, Surface Mount device |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | PNP |
| Компонент | MMBT2907A |
| Время спада | 60ns |
| Время нарастания | 25ns |
| Время задержки | 10ns |
| Размеры | Индуктивность: 0.550REF; E: 0.950TYP; A max: 1.15; A min: 0.9; D max: 3; D min: 2.8; E max: 1.4; E min: 1.2; B max: 0.5; B min: 0.3; C max: 0.15; C min: 0.08; A1 max: 0.1; A1 min: 0; A2 max: 1.05; A2 min: 0.9; E1 max: 2.55; E1 min: 2.25; L1 max: 0.5; L1 min: 0.3; E1 max: 2; E1 min: 1.8; Theta max: 8; Theta min: 0 |
| Описание | Bipolar transistor (PNP) |
| Артикул | MMBT2907A |
| Производитель | GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO., LTD |
| Время хранения | 225ns |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability 94V-0 |
| Размеры мм | A: Max: 1.15; Min: 0.9; D: Max: 3; Min: 2.8; E: Max: 1.4; Min: 1.2; Индуктивность: 0.550REF; B: Max: 0.5; Min: 0.3; C: Max: 0.15; Min: 0.08; E: 0.950TYP; A1: Max: 0.1; Min: 0; A2: Max: 1.05; Min: 0.9; E1: Max: 2.55; Min: 2.25; L1: Max: 0.5; Min: 0.3; E1: Max: 2; Min: 1.8; Theta: Max: 8°; Min: 0° |
| Лента и катушка | A: 3.15mm; B: 2.77mm; C: 1.22mm; E: 1.75mm; F: 3.50mm; P: 4.00mm; Мощность: 8.00mm; D: Ø1.50mm; P0: 4.00mm; P1: 2.00mm; Допуск: ±0.1mm |
| Размеры катушки | D: Ø178mm; G: R78mm; H: R25.60mm; I: R6.50mm; D1: 54.40mm; D2: 13.00mm; W1: 9.50mm; W2: 12.30mm; Допуск: ±1mm to ±2mm |
| Комплементарный к | MMBT2222A |
| Ток коллектора | -600mA |
| Ток коллектора | -600 мА |
| Коэф. усиления DC 1 | Max: 300; Min: 100; Conditions: VCE=-10V, IC=-150mA |
| Коэффициент усиления DC 2 | Min: 75; Conditions: VCE=-10V, IC=-0.1mA |
| Коэф. усиления DC 3 | Min: 50; Conditions: VCE=-10V, IC=-500mA |
| Размеры в дюймах | A: Max: 0.045; Min: 0.035; D: Max: 0.118; Min: 0.11; E: Max: 0.055; Min: 0.047; Индуктивность: 0.022REF; B: Max: 0.02; Min: 0.012; C: Max: 0.006; Min: 0.003; E: 0.037TYP; A1: Max: 0.004; Min: 0; A2: Max: 0.041; Min: 0.035; E1: Max: 0.1; Min: 0.089; L1: Max: 0.02; Min: 0.012; E1: Max: 0.079; Min: 0.071; Theta: Max: 8°; Min: 0° |
| Рассеиваемая мощность | 250 мВт |
| Классификация hFE | H: 200-300; Индуктивность: 100-200 |
| Структура | PNP |
| Макс. коэф. усиления DC | 300 |
| Hfe мин. | 75 |
| Условия времени спада | VCE=-6V, IC=-150mA, IB1=IB2=-15mA |
| Условия времени нарастания | VCE=-30V, IC=-150mA, IB1=-15mA |
| Темп. хранения | -55~+150°C |
| Ток отсечки базы | -10 нА |
| Delay time condition | VCE=-30V, IC=-150mA, IB1=-15mA |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 200MHz |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Макс. ток коллектора | -600mA |
| Макс. рас. мощн. | 250mW |
| Напряжение коллектор-база | -60V |
| Ток отсечки эмиттера | -10nA |
| Storage time condition | VCE=-6V, IC=-150mA, IB1=IB2=-15mA |
| Напряжение коллектор-база | -60 В |
| Макс. коэффициент усиления по постоянному току hFE1 | 300 |
| Мин. коэфф. усиления hFE1 | 100 |
| Мин. коэфф. усиления hFE2 | 75 |
| Коэффициент усиления по току hFE3 мин. | 50 |
| Макс. напряжение эмиттер-база | -5V |
| Ток отсечки коллектора | -20 нА |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60V |
| Диап. темп. хр. | -55°C ~ +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60 В |
| Collector cutoff current 1 | -20nA |
| Collector cutoff current 2 | -50nA |
| Макс. напряжение коллектор-база | -60V |
| Мощн. коллектора | 250mW |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | -60V |
| Dc current gain hfe1 condition | VCE=-10V, IC=-150mA |
| Dc current gain hfe2 condition | VCE=-10V, IC=-0.1mA |
| Dc current gain hfe3 condition | VCE=-10V, IC=-500mA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5 В |
| Условия частоты перехода | VCE=-20V, IC=-50mA, f=100MHz |
| Ток отсечки эмиттера, макс. | -10nA |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -60 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | -2.6V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | -1.3V |
| Обратный ток коллектор-база, макс. (Icbo) | -20nA |
| Collector cutoff current icex max | -50nA |
| Ток отсечки коллектор-эмиттер | -50 нА |
| Breakdown voltage emitter base min | -5V |
| Макс. Uбэ нас. | -2.6 В |
| Мин. напряжение насыщения база-эмиттер | -1.3 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -60 В |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 500°C/W |
| Breakdown voltage collector base min | -60V |
| Base emitter saturation voltage 1 max | -2.6V |
| Base emitter saturation voltage 2 max | -1.3V |
| Emitter cutoff current iebo condition | VEB=-3V, IC=0 |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | -1.6V |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | -0.4V |
| Термосопротивление переход-среда | 500 °C/Вт |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -60V |
| Collector cutoff current icbo condition | VCB=-50V, IE=0 |
| Collector cutoff current icex condition | VCE=-30V, VBE=-0.5V |
| Напр-е к-э (Uкэо макс),В | 60 |
| Breakdown voltage emitter base condition | IE=-10uA, IC=0 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | -1.6 В |
| Мин. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -0.4 В |
| Breakdown voltage collector base condition | IC=-10uA, IE=0 |
| Collector emitter saturation voltage 1 max | -1.6V |
| Collector emitter saturation voltage 2 max | -0.4V |
| Коэф-т передачи тока hfe | 100 |
| Base emitter saturation voltage 1 condition | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Base emitter saturation voltage 2 condition | IC=150mA, IB=15mA |
| Breakdown voltage collector emitter condition | IC=-10mA, IB=0 |
| Collector emitter saturation voltage 1 condition | IC=-500mA, IB=-50mA |
| Collector emitter saturation voltage 2 condition | IC=-150mA, IB=-15mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?