Документация
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
2 408 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 408 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 608 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,14 |
| от 412 | 0,99 |
| от 824 | 0,87 |
| от 1 648 | 0,77 |
| от 3 000 | 0,70 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор MMBT2222LT1G от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 30 В и токе до 0,6 А, мощность рассеивания — 0,225 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для ключевых схем и усиления сигналов в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | 318 |
| Стиль | 6 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | NPN |
| Компонент | MMBT2222LT1G |
| Описание | NPN Silicon General Purpose Transistor |
| Fall time tf | 60ns |
| Rise time tr | 25ns |
| Delay time td | 10ns |
| Noise figure nf | 4.0dB |
| Storage time ts | 225ns |
| Derate fr5 above 25c | 1.8mW/°C |
| Input capacitance cibo | 30pF |
| Base cutoff current ibl | 20nA |
| Dc current gain hfe 1ma | 50 |
| Input impedance hie 1ma | 2.0-8.0kΩ |
| Output capacitance cobo | 8.0pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Dc current gain hfe 10ma | 75 |
| Derate alumina above 25c | 2.4mW/°C |
| Input impedance hie 10ma | 0.25-1.25kΩ |
| Dc current gain hfe 0 1ma | 35 |
| Dc current gain hfe 500ma | 30 |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5.0V |
| Output admittance hoe 1ma | 5.0-35µmhos |
| Collector current peak icm | 1100mA |
| Output admittance hoe 10ma | 25-200µmhos |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 60V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 100nA |
| Dc current gain hfe 150ma 1v | 50 |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 30V 0.6A SOT23 |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.01µA |
| Collector cutoff current icex | 10nA |
| Dc current gain hfe 150ma 10v | 100-300 |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 30V |
| Voltage feedback ratio hre 1ma | 8.0x10^-4 |
| Непрерывный ток коллектора Ic | 600mA |
| Dc current gain hfe 10ma neg55c | 35 |
| Total device dissipation fr5 pd | 225mW |
| Voltage feedback ratio hre 10ma | 4.0x10^-4 |
| Current gain bandwidth product ft | 250MHz |
| Small signal current gain hfe 1ma | 50-300 |
| Collector base time constant rb cc | 150ps |
| Collector cutoff current icbo 125c | 10µA |
| Junction storage temperature range | -55 to +150°C |
| Small signal current gain hfe 10ma | 75-375 |
| Total device dissipation alumina pd | 300mW |
| Base emitter saturation vbe sat 150ma | 1.3V |
| Base emitter saturation vbe sat 500ma | 2.6V |
| Emitter base breakdown voltage vbr ebo | 5.0V |
| Collector base breakdown voltage vbr cbo | 60V |
| Collector emitter saturation vce sat 150ma | 0.4V |
| Collector emitter saturation vce sat 500ma | 1.6V |
| Collector emitter breakdown voltage vbr ceo | 30V |
| Thermal resistance junction ambient fr5 rthja | 556°C/W |
| Thermal resistance junction ambient alumina rthja | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?