Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / MMBT2222ALT1G ON, MMBT2222A SEMTECH, / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
31 670 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:31 640 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 282 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,45 |
| от 693 | 1,99 |
| от 1 386 | 1,61 |
| от 3 000 | 1,35 |
| от 6 000 | 1,20 |
Склад 14
В наличии:30 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 1,02 |
Описание
Транзистор MMBT2222A от HOTTECH — это популярный NPN-переключатель в компактном корпусе SOT-23. Работает при токе коллектора до 600 мА и напряжении до 40 В, частота переключения достигает 300 МГц. Подходит для схем коммутации, усилителей и управления нагрузками в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | BIPOLAR TRANSISTOR (NPN) |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 1P |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Complementary to MMBT2907A, Epitaxial planar die construction, Surface Mount device |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBT2222A |
| Время спада | 60 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время задержки | 10 ns |
| Время хранения | 225 ns |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability classification rating 94V-0 |
| Ток коллектора | 600 mA |
| Классификация hFE | Rank H: Range: 200-300; Маркировка: 1P; Rank L: Range: 100-200; Маркировка: 1P |
| Reel dimensions mm | D: Ø178; G: R78; H: R25.60; I: R6.50; D1: 54.40; D2: 13.00; W1: 9.50; W2: 12.30; Допуск: ±2, ±1 |
| Темп. хранения | -55~+150 ℃ |
| Hfe1 | 100-300 |
| Hfe2 | 40 |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 42 |
| Напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Темп. перехода | 150 ℃ |
| Частота перехода | 300 MHz |
| Напряжение коллектор-база | 75 В |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 μA |
| Предельные значения | Ток коллектора Ic: 600mA; Темп. перехода Tj: 150°C; Storage temperature tstg: -55°C ~ +150°C; Напряжение эмиттер-база Vebo: 6V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 75V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 40V; Pк: 300mW; Тепловое сопротивление переход-среда: 417°C/W |
| Ток отсечки коллектора | 0.01 μA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40 В |
| Электрические характеристики | Fall time tf: Typ: 60ns; Conditions: VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA; Rise time tr: Typ: 25ns; Conditions: VCC=30V, VBE(OFF)=0.5V, IC=150mA, IB1=15mA; Delay time td: Typ: 10ns; Conditions: VCC=30V, VBE(OFF)=0.5V, IC=150mA, IB1=15mA; Storage time ts: Typ: 225ns; Conditions: VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA; Hfe1: Max: 300; Min: 100; Conditions: VCE=10V, IC=150mA; Hfe2: Min: 40; Conditions: VCE=10V, IC=0.1mA; Коэффициент усиления DC hFE3: Min: 42; Conditions: VCE=10V, IC=500mA; Граничная частота ft: Min: 300MHz; Conditions: VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz; Emitter cut off current iebo: Max: 0.1uA; Conditions: VEB=5V, IC=0; Collector cut off current icbo: Max: 0.1uA; Conditions: VCB=60V, IE=0; Ток отсечки коллектора ICEX: Max: 0.1uA; Conditions: VCE=60V, VBE(OFF)=3V; Пробивное эмиттер-база: Min: 5V; Conditions: IE=10uA, IC=0; Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo: Min: 75V; Conditions: IC=10uA, IE=0; Base emitter saturation voltage vbesat 1: Max: 2.0V; Conditions: IC=500mA, IB=50mA; Base emitter saturation voltage vbesat 2: Max: 1.2V; Min: 0.6V; Conditions: IC=150mA, IB=15mA; Напряж. пробоя К-Э: Min: 40V; Conditions: IC=1mA, IB=0; Collector emitter saturation voltage vcesat 1: Max: 1V; Conditions: IC=500mA, IB=50mA; Collector emitter saturation voltage vcesat 2: Max: 0.3V; Conditions: IC=150mA, IB=15mA |
| Мощн. коллектора | 300 mW |
| Tape and reel dimensions mm | A: 3.15; B: 2.77; C: 1.22; E: 1.75; F: 3.50; P: 4.00; W: 8.00; D: Ø1.50; P0: 4.00; P1: 2.00; Допуск: ±0.1 |
| Package outline dimensions mm | A: Max: 1.150; Min: 0.900; D: Max: 3.000; Min: 2.800; E: Max: 1.400; Min: 1.200; L: 0.550REF; B: Max: 0.500; Min: 0.300; C: Max: 0.150; Min: 0.080; E: 0.950TYP; A1: Max: 0.100; Min: 0.000; A2: Max: 1.050; Min: 0.900; E1: Max: 2.550; Min: 2.250; L1: Max: 0.500; Min: 0.300; E1: Max: 2.000; Min: 1.800; Theta: Max: 8°; Min: 0° |
| Ток отсечки коллектора ICEX | 0.01 μA |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6 В |
| Напр. нас. база-эмиттер | 1.2 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 75 В |
| Package outline dimensions inches | A: Max: 0.045; Min: 0.035; D: Max: 0.118; Min: 0.110; E: Max: 0.055; Min: 0.047; L: 0.022REF; B: Max: 0.020; Min: 0.012; C: Max: 0.006; Min: 0.003; E: 0.037TYP; A1: Max: 0.004; Min: 0.000; A2: Max: 0.041; Min: 0.035; E1: Max: 0.100; Min: 0.089; L1: Max: 0.020; Min: 0.012; E1: Max: 0.079; Min: 0.071; Theta: Max: 8°; Min: 0° |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 В |
| Термосопротивление переход-среда | 417 ℃/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?