Документация
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
11 530 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,86 ₽
Сумма858,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии11 530 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 619 — 2,33 ₽ (−19%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 858,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 442,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 858,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор от DIODES. Работает при напряжении до 40 В и токе до 0,6 А, рассеиваемая мощность — 0,3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок и усиления сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | BJT |
| Маркировка | Формат кода даты: YM; Product type code: K1P |
| Корпус | SOT-23 |
| Полярность | NPN |
| Соответствие | RoHS: Fully RoHS Compliant; Зеленый: Да; Aec q101: Qualified; Без свинца: Totally Lead-Free; Без галогенов: Halogen and Antimony Free; PPAP: Да |
| Описание | 40V NPN small signal transistor in SOT23 |
| Нормы ESD | Jedec class mm: C; Jedec class hbm: 3A; Machine model mm: 400V; Human body model hbm: 4000V |
| Название компонента | MMBT2222A-7-F |
| Комплементарный PNP | MMBT2907A |
| Информация для заказа | Размер катушки: 7 inches; Ширина ленты: 8mm; Кол-во на катушке: 3000 |
| Тепл. хар-ки | Collector power dissipation pd note6: 310mW; Collector power dissipation pd note7: 350mW; Диапазон раб. и темп. хранения: -55 to +150°C; Тепловое сопротивление кристалл-выводы RthJL: 350°C/W; Thermal resistance junction to ambient rthja note6: 403°C/W; Thermal resistance junction to ambient rthja note7: 357°C/W |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Предельные значения | Ток коллектора Ic: 600mA; Пиковый ток базы, Ibm: 200mA; Напряжение эмиттер-база Vebo: 6.0V; Пиковый ток коллектора: 800mA; Напряжение коллектор-база Vcbo: 75V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 40V |
| Характеристики переключения | Время спада: Max: 60ns; Условия испытаний: VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA; Время нарастания: Max: 25ns; Условия испытаний: VCC=30V, VBE(OFF)=0V, IC=150mA, IB1=15mA; Время задержки td: Max: 10ns; Условия испытаний: VCC=30V, VBE(OFF)=-0.5V, IC=150mA, IB1=15mA; Время хранения, ts: Max: 225ns; Условия испытаний: VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA |
| Small signal characteristics | Коэффициент шума (NF): Max: 4.0dB; Условия испытаний: VCE=10V, IC=1.0mA, RS=1.0kΩ, f=1.0kHz; Input capacitance cibo: Max: 25pF; Условия испытаний: VEB=0.5V, f=1.0MHz, IC=0; Выходная ёмкость (Cobo): Max: 8pF; Условия испытаний: VCB=10V, f=1.0MHz, IE=0; Граничная частота усиления (ft): Min: 300MHz; Условия испытаний: VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz |
| Описание (англ.) | TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3 |
| Electrical characteristics on | Коэфф. усиления по току hFE: Max value: 300; Min values: Ic 1ma vce 10v: 50; Ic 10ma vce 10v: 75; Ic 150ma vce 1v: 35; Ic 100ua vce 10v: 35; Ic 150ma vce 10v: 100; Ic 500ma vce 10v: 40; Ic 10ma vce 10v ta minus55: 50; Условия испытаний: IC=150mA, VCE=10V; Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat): Max: 1.2V; Min: 0.6V; Max 2: 2.0V; Условия испытаний: IC=150mA, IB=15mA; Test condition 2: IC=500mA, IB=50mA; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce sat): Max: 1.0V; Max 2: 0.3V; Условия испытаний: IC=150mA, IB=15mA; Test condition 2: IC=500mA, IB=50mA |
| Electrical characteristics off | Base cutoff current ibl: Max: 20nA; Условия испытаний: VCE=60V, VEB(OFF)=3.0V; Ток отсечки эмиттера Iebo: Max: 10nA; Условия испытаний: VEB=5.0V, IC=0; Ток отсечки коллектора Icbo: Max: 10nA; Условия испытаний: VCB=60V, IE=0; Collector cutoff current icev: Max: 10nA; Условия испытаний: VCE=60V, VBE=±0.25V; Ток отсечки коллектора ICEX: Max: 10nA; Условия испытаний: VCE=60V, VEB(OFF)=3.0V; Напряжение пробоя эмиттер-база (BVEBO): Min: 6.0V; Условия испытаний: IE=100µA, IC=0; Напряжение пробоя коллектор-база Bvcbo: Min: 75V; Условия испытаний: IC=100µA, IE=0; Collector cutoff current icbo high temp: Max: 10µA; Условия испытаний: VCB=60V, IE=0, TA=+150°C; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo: Min: 40V; Условия испытаний: IC=10mA, IB=0 |
| Тип монтажа | SMD |
Заметили ошибку в описании или параметрах?