Документация
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
4 161 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 161 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 36 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 20,22 |
| от 103 | 18,15 |
| от 205 | 16,43 |
| от 410 | 15,12 |
| от 820 | 14,16 |
Описание
Полевой транзистор MMBFJ202 от ON Semiconductor — N-канальный JFET с управляемым P-N переходом. Работает при напряжении до 40 В и рассеивает мощность до 350 мВт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации сигналов и аналоговых ключей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| I gf | 50mA |
| Тип | N-Channel JFET |
| V dg | 40V |
| V gs | -40V |
| I gss | -100pA |
| Корпус | SOT-23 3L |
| Тип монтажа | SMD |
| Top mark | 62Q |
| V br gss | -40V |
| Y fs min | 1000μmhos |
| I dss max | 4.5mA |
| I dss min | 0.9mA |
| Размеры | Ширина: 1.30mm; Высота: 1.20mm; Длина: 2.92mm |
| Описание | N-Channel General-Purpose Amplifier |
| Артикул | MMBFJ202 |
| V gs off max | -4.0V |
| V gs off min | -0.8V |
| Метод упаковки | Tape and Reel |
| Снижение выше 25°C | 2.8mW/°C |
| Рассеиваемая мощность | 350mW |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Storage junction temperature | -55 to 150°C |
| Описание (англ.) | JFET N-CH 40V 350mW SOT23 |
| Рабочая температура перехода | -55 to 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?