Документация
Транзистор MMBFJ201
У поставщика
У поставщиков
4 767 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 767 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,92 |
| от 190 | 16,18 |
| от 379 | 14,79 |
| от 758 | 13,60 |
| от 1 515 | 12,81 |
Описание
Транзистор полевой MMBFJ201 от ON Semiconductor представляет собой JFET с p-n переходом. Компонент предназначен для работы в аналоговых схемах, где требуется высокое входное сопротивление и низкий уровень шума. Применяется в усилительных каскадах, коммутаторах сигналов и генераторах.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 3L |
| Тип монтажа | SMD |
| Top mark | 62P |
| Компонент | MMBFJ201 |
| Размеры | Ширина: 1.30mm; Высота: 1.20mm max; Длина: 2.92±0.20mm; Pad width: 0.60mm; Шаг выводов: 0.95mm; Pad length: 2.20mm |
| Pulse test | pulse width ≤ 300μs, duty cycle ≤ 2.0% |
| Описание | N-Channel General-Purpose Amplifier |
| Метод упаковки | Tape and Reel |
| Условия теста | Gate reverse current: VGS = -20V, VDS = 0; Gate source cutoff voltage: VDS = 20V, ID = 10nA; Forward transfer admittance: VDS = 20V, f = 1.0kHz; Gate source breakdown voltage: IG = -1.0μA, VDS = 0; Zero gate voltage drain current: VDS = 20V, IGS = 0mA |
| Снижение выше 25°C | 2.8mW/°C |
| Jedec registration | TO-236, Variation AB, Issue H |
| Drain gate voltage max | 40V |
| Напряжение затвор-исток макс. | -40V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Forward gate current max | 50mA |
| Gate reverse current max | -100pA |
| Total device dissipation | 350mW |
| Описание (англ.) | JFET N-CH 40V 350mW SOT23 |
| Gate source cutoff voltage max | -1.5V |
| Gate source cutoff voltage min | -0.3V |
| Forward transfer admittance min | 500μmhos |
| Gate source breakdown voltage min | -40V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Zero gate voltage drain current max | 1.0mA |
| Zero gate voltage drain current min | 0.2mA |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?