Документация
Транзистор полевой MMBF5485
У поставщика
У поставщиков
2 089 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 089 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 28 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 26,24 |
| от 27 | 25,31 |
| от 54 | 24,04 |
| от 107 | 22,31 |
| от 213 | 20,52 |
Описание
Полевой транзистор N-Channel JFET RF Amplifier от ON Semiconductor. Работает при напряжении сток-исток до 25 В и частотах от 0,1 до 400 МГц, рассеиваемая мощность — до 225 мВт в корпусе SOT-23. Подходит для усиления радиочастотных сигналов в связном оборудовании и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип устройства | N-Channel JFET RF Amplifier |
| Варианты корпуса | TO-92, SOT-23 |
| Условия эксплуатации | Vds typical: 15V; Vgs typical: 0V; Диап. частот: 0.1MHz to 400MHz |
| Тепл. хар-ки | Rjc max: 125°C/W; Pd max 2n5485: 350mW; Rja max 2n5485: 357°C/W; Pd max mmbf5485: 225mW; Снижение выше 25°C: 2.8mW/°C; Rja max mmbf5485: 556°C/W |
| Предельные значения | Igf max: 10mA; Макс. Vds: 25V; Макс. Vgs: -25V; Tj storage max: +150°C; Tj storage min: -55°C; Макс. температура перехода: +150°C; Tj operating min: -55°C |
| Small signal characteristics | Ciss 1mhz: 5.0pF; Coss 1mhz: 2.0pF; Crss 1mhz: 1.0pF; Gfb 100mhz: 3000µmhos; Gfb 400mhz: 3500µmhos; Gos 100mhz: 75µmhos; Gos 1khz 5485: 60µmhos; Nf 100mhz 5484: 3.0dB; Nf 400mhz 5484: 4.0dB; Ri input 100mhz: 100µmhos; Ri input 400mhz: 1000µmhos; Gfs 5485 1khz max: 7000µmhos; Gfs 5485 1khz typ: 3500µmhos; Nf 100mhz 5485 5486: 2.0dB; Nf 400mhz 5485 5486: 4.0dB |
| Electrical characteristics on | Idss 5485 max: 10mA; Idss 5485 typ: 4.0mA; Test condition: Vds=15V, Vgs=0 |
| Electrical characteristics off | V br gss min: -25V; Vgs off 5485 max: -3.0V; Vgs off 5485 typ: -0.5V; Igss max vgs neg20: -1.0nA; Igss max vgs neg20 ta100: -0.2µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?