Документация
Транзистор полевой MMBF4392LT1G / N-канал, 0.025А, 30В, SOT-23
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 058 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 058 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 38 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 18,24 |
| от 38 | 17,41 |
| от 76 | 16,35 |
| от 152 | 15,02 |
| от 304 | 13,77 |
Описание
Транзистор полевой MMBF4392LT1G производства ON Semiconductor — это N-канальный JFET в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 0,025 А и напряжение до 30 В. Предназначен для применения в аналоговых ключах, коммутаторах сигналов и схемах с низким уровнем шума.
Технические характеристики
| Маркировка | 6K |
| Корпус | SOT-23 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Shipping | 3000 / Tape & Reel |
| Описание | N-Channel JFET Switching Transistor |
| Артикул | MMBF4392LT1G |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Снижение выше 25°C | 1.8mW/°C |
| Вх. емкость | 14pF |
| AEC-Q101 | Да |
| Drain gate voltage | 30Vdc |
| Напряжение затвор-исток | 30Vdc |
| Напряжение сток-исток | 30Vdc |
| Forward gate current | 50mAdc |
| Drain source on voltage | 0.4Vdc |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Gate reverse current 25c | 1.0nAdc |
| Total device dissipation | 225mW |
| Gate reverse current 100c | 0.20µAdc |
| Off state drain current 25c | 1.0nAdc |
| Off state drain current 100c | 1.0µAdc |
| Обратная проходная емкость | 3.5pF |
| Описание (англ.) | JFET N-CH 30V 225mW SOT23 |
| Gate source breakdown voltage | 30Vdc |
| Gate source cutoff voltage max | -5.0Vdc |
| Gate source cutoff voltage min | -2.0Vdc |
| Input capacitance test condition | VDS = 0Vdc, VGS = -15Vdc, f = 1.0MHz |
| Static drain source on resistance | 60Ω |
| Junction storage temperature range | -55 to +150°C |
| Zero gate voltage drain current max | 75mAdc |
| Zero gate voltage drain current min | 25mAdc |
| Drain source on voltage test condition | ID = 6.0mAdc, VGS = 0 |
| Термосопротивление переход-среда | 556°C/W |
| Reverse transfer capacitance test condition | VDS = 0Vdc, VGS = -12Vdc, f = 1.0MHz |
| Static drain source on resistance test condition | ID = 1.0mAdc, VGS = 0 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?