+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
MMBD7000LT1G
Документация

Диод MMBD7000LT1G / 0.2А, 100В, SOT-23

Артикул:716493
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
43 832 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 933,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 367,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 933,00 ₽
Описание

Диод MMBD7000LT1G от ON Semiconductor — это сдвоенный высокоскоростной переключательный диод в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 0,2 А и обратное напряжение 100 В. Благодаря согласованной паре диодов в одном корпусе, модель широко применяется в цепях коммутации, защиты от перенапряжений и логических схемах.

Технические характеристики
Вывод 1анод
Вывод 2CATHODE
Вывод 3CATHODE-ANODE
СтильSTYLE 11
КорпусSOT-23 (TO-236)
Тип монтажаSMD
Без свинцаДа
Тип корпусаCASE 318
Dual diodeДа
Без галогеновДа
Код маркировкиM5C
PPAPДа
КорпусSOT-23
Конфигурацияdual switching diode
Соотв. RoHSДа
Прямой ток200mA
Обратное напряжение100V
ОписаниеSmall Signal Switching Diodes 100V 200mA
Емкость при 0 В1.5pF
AEC-Q101Да
Размеры упаковкиA: 0.89 to 1.11mm; B: 0.37 to 0.50mm; C: 0.08 to 0.20mm; D: 2.80 to 3.04mm; E: 1.20 to 1.40mm; L: 0.30 to 0.55mm; A1: 0.01 to 0.10mm; He: 2.10 to 2.64mm; L1: 0.35 to 0.69mm; E pitch: 1.78 to 2.04mm; Lead angle: 0° to 10°
Имп. ток прямо1.6A
Время обратного восстановления4.0ns
Прямое напряжение при 1 мА0.55V to 0.7V
Прямое напряжение при 10 мА0.67V to 0.82V
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Прямое напряжение при 100 мА0.75V to 1.1V
Обратное пробивное напряжение100V
Снижение выше 25 °C на плате FR51.8mW/°C
Описание (англ.)DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
Повторяющийся пиковый прямой ток0.5A
Снижение выше 25 °C на алюминиевой подложке2.4mW/°C
Общая рассеиваемая мощность, плата FR5225mW
Диапазон температур перехода и хранения-55 to +150°C
Reverse voltage leakage current at 50v1.0µA
Reverse voltage leakage current at 100v3.0µA
Общая рассеиваемая мощность, керамика300mW
Reverse voltage leakage current at 50v 125c100µA
Тепловое сопротивление кристалл-среда, плата FR5556°C/W
Тепловое сопротивление переход-среда, алюминиевая подложка417°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?