Документация
Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
У поставщиков
916 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт16,18 ₽
Сумма809,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии916 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 120 — 14,44 ₽ (−11%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 809,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 491,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 809,00 ₽
Описание
Диод Шоттки сдвоенный от ON Semiconductor. Два диода в корпусе SOT23-3 с последовательным соединением, рассчитанные на напряжение до 30 В и ток до 0,2 А. Подходит для высокочастотных схем в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Маркировка | 5N M |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | MMBD452LT1G |
| Соответствие | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Размеры | A: 0.89-1.11mm; D: 2.80-3.04mm; E: 1.20-1.40mm; Индуктивность: 0.30-0.55mm; T: 0-10°; B: 0.37-0.50mm; C: 0.08-0.20mm; E: 1.78-2.04mm; A1: 0.01-0.10mm; HE: 2.10-2.64mm; L1: 0.35-0.69mm |
| Описание | Dual Hot-Carrier Diodes, Schottky Barrier Diodes |
| Информация для заказа | MMBD452LT1G, SOT-23, 3000/Tape & Reel |
| Обратное напряжение | 30V |
| Снижение мощности выше 25 °C | 2.8mW/°C |
| Конфиг. выводов | 1: Anode, 2: Cathode, 3: Cathode/Anode |
| Reverse leakage max | 200nA |
| Reverse leakage typ | 13nA |
| Total capacitance max | 1.5pF |
| Общая ёмкость, тип. | 0.9pF |
| Forward voltage max 1mA | 0.45V |
| Forward voltage typ 1mA | 0.38V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Forward voltage max 10mA | 0.6V |
| Forward voltage typ 10mA | 0.52V |
| Прямая рассеиваемая мощность | 225mW |
| Обратное пробивное напряжение | 30V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Описание (англ.) | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-23 |
| Условия измерения обратного тока утечки | VR = 25V |
| Total capacitance test condition | VR = 15V, f = 1.0MHz |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +125°C |
| Условие измерения обратного напряжения пробоя | IR = 10µA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?