Документация
Транзистор MJE350G
У поставщика
У поставщиков
1 000 шт.
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:1 000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 21,07 |
Описание
Транзистор MJE350G от JSMSEMI — это мощный PNP-транзистор в корпусе TO-126. Он рассчитан на напряжение до -300 В и ток до -0,5 А, при максимальной рассеиваемой мощности 20 Вт. Подходит для высоковольтных схем и общего применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Контактов | { "1": "Emitter", "2": "Collector", "3": "Base" } |
| Корпус | TO-126 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Артикул | MJE350 |
| Применение | High voltage and general purpose applications |
| Производитель | JSMICRO Semiconductor |
| Тип компонента | NPN Power Transistor |
| Key specifications | { "complement_to": "MJE340", "dc_current_gain_at_50ma": "100", "collector_saturation_voltage": "-1.0V", "collector_emitter_sustaining_voltage": "-300V" } |
| Тепл. хар-ки | { "rth_jc_max": "6.25°C/W" } |
| Предельные значения | { "pc_max": "20W", "ti_max": "150°C", "tstg_max": "150°C", "tstg_min": "-65°C", "vcbo_max": "-300V", "vceo_max": "-300V", "vebo_max": "-3V", "ic_continuous_max": "-0.5A" } |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -65°C |
| Электрические характеристики | { "hfe_max": "240", "hfe_min": "30", "icbo_max": "-0.1mA", "iebo_max": "-0.1mA", "vce_sat_max": "-1.0V", "v_br_cbo_min": "-300V", "v_br_ebo_min": "-3V", "vceo_sus_min": "-300V" } |