Документация
Транзистор MJE350G
У поставщика
У поставщиков
550 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 15
В наличии:550 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 50 | 22,72 |
Описание
Транзистор MJE350G от JSMSEMI — это мощный PNP-транзистор в корпусе TO-126. Он рассчитан на напряжение до -300 В и ток до -0,5 А, при максимальной рассеиваемой мощности 20 Вт. Подходит для высоковольтных схем и общего применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Контактов | 1: Emitter; 2: Collector; 3: Base |
| Корпус | TO-126 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Артикул | MJE350 |
| Применение | High voltage and general purpose applications |
| Производитель | JSMICRO Semiconductor |
| Тип компонента | NPN Power Transistor |
| Key specifications | Complement to: MJE340; Dc current gain at 50ma: 100; Collector saturation voltage: -1.0V; Напряжение коллектор-эмиттер: -300V |
| Тепл. хар-ки | Rth jc max: 6.25°C/W |
| Предельные значения | Макс. Pc: 20W; Ti max: 150°C; Макс. Tstg: 150°C; Мин. Tstg: -65°C; VCBO макс.: -300V; Vceo макс.: -300V; Vebo макс.: -3V; Макс. непрерывный Iс: -0.5A |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -65°C |
| Электрические характеристики | Макс. HFE: 240; Мин. HFE: 30; Icbo макс.: -0.1mA; Макс. IEBO: -0.1mA; Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер: -1.0V; V br cbo min: -300V; V br ebo min: -3V; Vceo sus min: -300V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?