Документация
Транзистор MJE15035G
У поставщика
У поставщиков
554 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:554 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 113,93 |
| от 20 | 106,04 |
| от 50 | 99,60 |
| от 100 | 94,79 |
| от 200 | 91,22 |
Описание
Транзистор PNP от ON Semiconductor в корпусе TO-220. Выдерживает напряжение до 350 В и постоянный ток до 4 А, импульсный ток — до 8 А. Рассеиваемая мощность — до 50 Вт. Подходит для усилителей мощности, источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| RoHS | Pb-Free and RoHS Compliant |
| Тип | PNP |
| Ib max | 1.0A |
| Ic peak | 8.0A |
| Маркировка | MJE15035G |
| Корпус | TO-220 |
| Vcb max | 350V |
| Veb max | 5.0V |
| Icbo макс. | 10µA |
| Макс. IEBO | 10µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Vceo макс. | 350V |
| Код корпуса | 221A |
| Lead count | 3 |
| Esd mm class | C |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Esd hbm class | 3B |
| Ic continuous | 4.0A |
| Pd total at ta25 | 2.0W |
| Pd total at tc25 | 50W |
| Derate above ta25 | 0.016W/°C |
| Derate above tc25 | 0.4W/°C |
| Dimensions max mm | A: 15.75; B: 10.53; C: 4.83; D: 0.96; F: 4.09; G: 2.66; H: 4.10; J: 0.61; K: 14.27; L: 1.52; N: 5.33; Q: 3.04; R: 2.79; S: 1.39; T: 6.47; U: 1.27; V: ---; Z: 2.04 |
| Dimensions min mm | A: 14.48; B: 9.66; C: 4.07; D: 0.64; F: 3.61; G: 2.42; H: 2.80; J: 0.36; K: 12.70; L: 1.15; N: 4.83; Q: 2.54; R: 2.04; S: 1.15; T: 5.97; U: 0.00; V: 1.15; Z: 0.00 |
| Конфиг. выводов | 1=Base, 2=Collector, 3=Emitter, 4=Collector |
| FT test conditions | IC=500mA, VCE=10V, f=1MHz |
| Vce sustaining min | 350V |
| Hfe at ic1a vce5v min | 50 |
| Hfe at ic2a vce5v min | 10 |
| Vbe on max ic1a vce5v | 1.0V |
| Hfe at ic0.1a vce5v min | 100 |
| Hfe at ic0.5a vce5v min | 100 |
| Vce sat max ic1a ib0.1a | 0.5V |
| Диап. темп. хр. | -65 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Current gain bandwidth product typical | 30MHz |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Тип транзистора | PNP |
Заметили ошибку в описании или параметрах?