Документация
MJE15034G, Биполярный транзистор NPN 350В 4А TO-220AB
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
150 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 124,20 |
| от 20 | 114,89 |
Описание
Биполярный транзистор NPN от ON Semiconductor в корпусе TO-220AB. Выдерживает напряжение до 350 В и ток коллектора до 4 А, рассеиваемая мощность — 50 Вт. Подходит для схем промышленной автоматики и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | NPN Silicon |
| Корпус | TO-220 |
| Тип монтажа | THT |
| Код корпуса | 221A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | 14.48-15.75mm x 9.66-10.53mm x 4.07-4.83mm |
| Current base | 1A |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Корпус | TO-220AB |
| Материал выводов | Pb-Free |
| Соотв. RoHS | Да |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN |
| Модель машины ЭСР | C |
| Структура | NPN |
| Hfe мин. | Ic 1a vce 5v: 50; Ic 2a vce 5v: 10; Ic 0.1a vce 5v: 100; Ic 0.5a vce 5v: 100 |
| ESD HBM | 3B |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| Saturation voltage ce | 0.5V at Ic=1A, Ib=0.1A |
| Пиковый ток коллектора | 8A |
| Произведение усиления на полосу | 30MHz at Ic=500mA, Vce=10V |
| Power dissipation case | 50W |
| Напряжение коллектор-база | 350V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1.0V at Ic=1A, Vce=5V |
| Power dissipation ambient | 2W |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 350V |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +150°C |
| Ток коллектора непрерывный | 4A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Мощность, Вт | 50 |
| Напряжение, В | 350 |
| Ток, А | 4 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?