Документация
MJE15033G, Биполярный транзистор TO-220AB
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
110 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:110 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 196,65 |
| от 10 | 196,28 |
Описание
Биполярный транзистор PNP от ON Semiconductor в корпусе TO-220AB. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 250 В, постоянный ток до 8 А и рассеивает до 50 Вт. Подходит для мощных ключевых схем и линейных стабилизаторов в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | 14.48-15.75mm x 9.66-10.53mm x 4.07-4.83mm (A x B x C) |
| Ток базы | 2A |
| Корпус | TO-220AB |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT 8A, 2W, 250V Complementary Silicon Plastic Power Transistor |
| Модель машины ЭСР | class C |
| Hfe мин. | 70 at IC=0.5A, VCE=5V |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| ESD HBM | class 3B |
| Напряжение коллектор-база | 250V |
| Collector current peak | 16A |
| Power dissipation case | 50W |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 250V |
| Power dissipation ambient | 2W |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 10µA |
| Диапазон темп. перехода | -65 to 150°C |
| Base emitter on voltage max | 1V at IC=1A, VCE=5V |
| Непрерывный ток коллектора | 8A |
| Макс. ток отсечки коллектора | 10µA |
| Current gain bandwidth product min | 30MHz |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V at IC=1A, IB=0.1A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?