Документация
Транзистор MJE15033G
У поставщика
У поставщиков
335 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:335 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 88,03 |
| от 24 | 81,66 |
| от 50 | 76,46 |
| от 100 | 72,59 |
| от 200 | 69,69 |
Описание
Транзистор MJE15033G от ON Semiconductor — это кремниевый PNP-биполярный транзистор средней мощности. Предназначен для использования в линейных и импульсных схемах, включая выходные каскады усилителей звуковой частоты и драйверы. Отличается низким напряжением насыщения и широкой областью безопасной работы.
Технические характеристики
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220AB (TO-220) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Derate case | 0.4W/°C |
| Ток базы | 2A |
| Derate ambient | 0.016W/°C |
| Модель машины ЭСР | C |
| Напряжение эмиттер-база | 5V |
| ESD HBM | 3B |
| Напряжение коллектор-база | 250V |
| Collector current peak | 16A |
| Power dissipation case | 50W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 250V |
| Dc current gain min at 1A | 50 |
| Dc current gain min at 2A | 10 |
| Power dissipation ambient | 2W |
| Диап. темп. хр. | -65 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -65 to 150°C |
| Base emitter on voltage max | 1V |
| Dc current gain min at 0.5A | 70 |
| Непрерывный ток коллектора | 8A |
| Описание (англ.) | PNP 250V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Current gain bandwidth product min | 30MHz |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.5°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 62.5°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.5V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?