+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

Транзистор MJE15033

Артикул:103209
У поставщика
ПроизводительISC
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
У поставщиков
418 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:246 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 16 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 144,93
от 2843,88
от 5042,45
от 15040,49
от 25038,31
Склад 39
В наличии:172 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 147,79
от 8543,52
от 14141,11
от 23339,19
от 38837,77
Описание

Транзистор MJE15033 производства ISC — мощный кремниевый pnp-транзистор, предназначенный для использования в усилительных и переключательных схемах. Компонент оптимизирован для работы в цепях с высоким напряжением и значительными токами нагрузки. Обычно применяется в аудиоусилителях, блоках питания и силовых каскадах.

Технические характеристики
ТипPNP
КомпонентMJE15033
Описаниеisc Silicon PNP Power Transistor
ПрименениеHigh-frequency drivers in audio amplifiers
Ток базы-2A
КорпусTO-220AB
Complementary typeMJE15032
Напряжение эмиттер-база-5V
Темп. перехода150C
Dc current gain ic 1a50
Dc current gain ic 2a10
Напряжение коллектор-база-250V
Collector current peak-16A
Ток отсечки эмиттера-10uA
Напряжение насыщения база-эмиттер-1.0V
Dc current gain ic 0 5a50
Тип упаковкиTube (туба)
Ток отсечки коллектора-10uA
Напряжение коллектор-эмиттер-250V
Диап. темп. хр.-65C to 150C
Непрерывный ток коллектора-8A
Описание (англ.)TRANS PNP 250V 8A TO220AB
Current gain bandwidth product30MHz
Collector power dissipation ta252W
Collector power dissipation tc2550W
Тепл. сопр. переход-корпус2.5C/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер-0.5V
Напряжение коллектор-эмиттер-250V
Термосопротивление переход-среда62.5C/W
Тип монтажаВыводной

Заметили ошибку в описании или параметрах?